Low threshold GaAs/AlGaAs double Quantum Well Lasers

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。

注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

非对称长法布里-伯里腔光调制特性分析及高对比度GaAs/AlGaAs调制器

国家自然科学基金

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器

报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件.

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

报道了眷形波导InGaAs/AIGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA，典型值为15mA，线性输出光功率大于120mW，微分量子效率典型值为60％(镀高反膜和增透膜)，50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表明

室温连续工作的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化

用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况恰恰相反,在窄阱中τ_f随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的。同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是因为激子特性由准二维向三维转化造成的。

GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究

采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。

GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器

报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率为1.3×10~4V/W。各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18％,串音小于0.45％,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10~(-6)A/cm~2。

低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

报道了脊形波导结构GaAs/AlGaAs量子阱激光器的研究成果,采用湿法化学腐蚀方法,通过对器件结构参数的优化,制备了性能优越的脊形波导GaAs/AlGaAs量子阱激光器,器件的阈值电流低于10mA,最低值为7.3mA.而且实现了基横模工作,这是国内报道的该结构激光器的最好水平.

高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用

通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密底、低内损耗、高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料.

Two-wave mixing in resonant photorefractive GaAs/AlGaAs semi-insulating multiple quantum wells

国家自然科学基金

GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系

报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻 空穴激子峰强度特殊的温度依赖关系,并分析了其物理机制。

具有宽带响应的GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器

报道具有宽带响应的130元线列GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。