高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密底、低内损耗、高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨国文;肖建伟;徐遵图;郑婉华;曾一平;徐俊英;张敬明;陈良惠.高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用,半导体学报,1995,16(8):627 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
