GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系


Autoria(s): 徐士杰; 刘剑; 李国华; 郑厚植; 江德生
Data(s)

1994

Resumo

报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻 空穴激子峰强度特殊的温度依赖关系,并分析了其物理机制。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19935

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104605

Idioma(s)

中文

Fonte

徐士杰;刘剑;李国华;郑厚植;江德生.GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系,红外与毫米波学报,1994,13(1):77

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文