低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用

报道了用低压有机金属化合物化学气相沉积外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用。用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值7～12 mA的1.3 μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值9～15 mA的1.55 μm量子阱激光器以及高功率1.3 μm量子阱发光二极管和InGaAs PIN光电探测器。

室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

于2010-11-23批量导入

InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好。

K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

国家自然科学基金

碱金属Rb在InP（100）表面的催化氧化作用

用XPS和UPS研究了氧在Rb复盖的和清洁的InP(100)表面的吸附行为。实验结果表明,碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加。在氧的暴露量低于1L时,氧主要吸附在碱金属原子之间的InP衬底上,且位于Rb原子层之下。当氧暴露量增加时,氧主要还是吸附在Rb覆盖层下面,这时衬底开始氧化。在清洁表面,氧主要吸附在In原子上,样品退火后,Rb部分脱附,同时,衬底的氧化物相(InPO_4)含量增加。

同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响,通过P2p、In 4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N_2/Na/N_2/Na/N_2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氮化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对III-V族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生,而碱金属吸附层和III-V族半导体衬底之间发生界面反应而形成的表面缺陷在III-V族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用.

用GSMBE法生长匹配型GaInAsP/InP材料及量子阱、面发射激发器结构的研究

报道通过在位组分调整,配合X射线双晶衍射测试和光致发光测试,生长了与InP精确匹配的GaLnAsP(失配度达4×10~(-4)).生长了GaInAs/InP量子阱结构的光致发光半峰宽达5.72meV.实验表明源炉档板开启 后生长速率是不均匀的,这对生长量子阱和DBR结构是个值得注意的问题,经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符.

1.55μm InGaAsP/InP DH激光器中的0.95μm发光带与Auger复合

于2010-11-23批量导入

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga（1-x）InxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.74)In_(0.53)As/InP量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In(0.53)As有源层里观察到 H1(Ev+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)A_s有源层的 H_2(E_v+0.11eV)和 E_2(E_q-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物 。

Cs/InP（100）界面相互作用性质的研究

于2010-11-23批量导入

InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析

于2010-11-23批量导入

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料

于2010-11-23批量导入

Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰

分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′－2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12

MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件

讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5