Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰
| Data(s) |
1993
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|---|---|
| Resumo |
分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′－2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12 国家教委基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
章蓓;陈孔军;王舒民;虞丽生;郑婉华;徐俊英;徐天冰;朱沛然;盖秀贞.Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰,红外与毫米波学报,1993,12(2):127 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
