低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用

报道了用低压有机金属化合物化学气相沉积外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用。用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值7～12 mA的1.3 μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值9～15 mA的1.55 μm量子阱激光器以及高功率1.3 μm量子阱发光二极管和InGaAs PIN光电探测器。

报道了用低压有机金属化合物化学气相沉积外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用。用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值7～12 mA的1.3 μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值9～15 mA的1.55 μm量子阱激光器以及高功率1.3 μm量子阱发光二极管和InGaAs PIN光电探测器。

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国家863计划

中科院半导体所

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