MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件
| Data(s) |
1993
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| Resumo |
讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5 讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6142.pdf: 92375 bytes, checksum: fcc4987840f3aa30e86f0c26b7150b9d (MD5) Previous issue date: 1993 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨志鸿;王树堂;曾靖;朱龙德;孙捷;夏彩虹;沈戎;归强.MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件,红外与毫米波学报,1993,12(2):155 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
