气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料


Autoria(s): 袁瑞霞; 阎春辉; 国红熙; 李晓兵; 朱世荣; 李灵肖; 曾一平; 孔梅影
Data(s)

1994

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:14:51导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6116.pdf: 188843 bytes, checksum: 5240893607a4f336b7b7a170df11df1c (MD5) Previous issue date: 1994

中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20029

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104652

Idioma(s)

中文

Fonte

袁瑞霞;阎春辉;国红熙;李晓兵;朱世荣;李灵肖;曾一平;孔梅影.气态源分子束外延(AlGa)InP和GaInP/AlInP多量子阱材料,半导体学报,1994,15(5):312

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文