磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合

报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周 期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的 振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法.

GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究

国家自然科学基金

（GaAs/AlAs）n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应研究

首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向Γ能谷输运的通道,从而加强了X-Γ电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出Γ跃迁的某些性质。

GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴

研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(E_(Г1))和第一激发态(E_(Г_2))能级之间。实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的。在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Г能谷的基态。

I类-II类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽

在I类-II类混合GaAs/AlAs非对称量子阱结构的样品上,在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累,利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献,发现低温下随载流子密度的增加,载流子散射导致的激子展宽随之增加,在一定激发光强下光荧光谱上出现77K激子线宽大于室温激子线宽的现象.根据载流子对激子态的散射理论进行了计算,发现实验结果和理论预言符合得很好.

短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)_M/(AlAs)_M超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线。在光子能量3.5～4.5eV范围的E_1峰与E_1峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致。实验谱中的E_1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E_1峰之差异也大于理论结果。

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

国家自然科学基金,中国科学院基金

用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

于2010-11-23批量导入

Localização eletrônica de sistemas aperiódicos em uma dimensão

Desde a descoberta do estado quasicristalino por Daniel Shechtman et al. em 1984 e da fabricação por Roberto Merlin et al. de uma superrede artificial de GaAs/ AlAs em 1985 com características da sequência de Fibonacci, um grande número de trabalhos teóricos e experimentais tem relatado uma variedade de propriedades interessantes no comportamento de sistemas aperiódicos. Do ponto de vista teórico, é bem sabido que a cadeia de Fibonacci em uma dimensão se constitui em um protótipo de sucesso para a descrição do estado quasicristalino de um sólido. Dependendo da regra de inflação, diferentes tipos de estruturas aperiódicas podem ser obtidas. Esta diversidade originou as chamadas regras metálicas e devido à possibilidade de tratamento analítico rigoroso este modelo tem sido amplamente estudado. Neste trabalho, propriedades de localização em uma dimensão são analisadas considerando-se um conjunto de regras metálicas e o modelo de ligações fortes de banda única. Considerando-se o Hamiltoniano de ligações fortes com um orbital por sítio obtemos um conjunto de transformações relativas aos parâmetros de dizimação, o que nos permitiu calcular as densidades de estados (DOS) para todas as configurações estudadas. O estudo detalhado da densidade de estados integrada (IDOS) para estes casos, mostra o surgimento de plateaux na curva do número de ocupação explicitando o aparecimento da chamada escada do diabo" e também o caráter fractal destas estruturas. Estudando o comportamento da variação da energia em função da variação da energia de hopping, construímos padrões do tipo borboletas de Hofstadter, que simulam o efeito de um campo magnético atuando sobre o sistema. A natureza eletrônica dos auto estados é analisada a partir do expoente de Lyapunov (γ), que está relacionado com a evolução da função de onda eletrônica ao longo da cadeia unidimensional. O expoente de Lyapunov está relacionado com o inverso do comprimento de localização (ξ= 1 /γ), sendo nulo para os estados estendidos e positivo para estados localizados. Isto define claramente as posições dos principais gaps de energia do sistema. Desta forma, foi possível analisar o comportamento autossimilar de cadeias com diferentes regras de formação. Analisando-se o espectro de energia em função do número de geração de cadeias que seguem as regras de ouro e prata foi feito, obtemos conjuntos do tipo-Cantor, que nos permitiu estudar o perfil do calor específico de uma cadeia e Fibonacci unidimensional para diversas gerações

Raman scattering studies of III-V semiconductors grown on [n11]-oriented substrates

The room temperature Raman spectra of the Ga(0.5)Al(0.5)AS and the In0.52Al0.48As epilayer grown on [n11]-oriented substrates were measured in various back scatterng geometries, The relative intensity of TO modes and LO modes in those samples shows a regular Variation with differently oriented substrates in the experiments. By comparing experimental data with Raman scattering selection rules for the zincblende structure epilayer grown on [n11]-oriented substrates, it was found that the present calculations are in good agreement with the experimental results.

Formation mechanism of electric field domains

Hydrostatic pressure measurements are used to investigate the formation mechanism of electric field domains in doped weakly-coupled GaAs/AlAs superlattices. For the first plateau-like region in the I-V curve, two kinds of sequential resonant tunnelling are observed. For P<2 kbar the high-field domain is formed by the Gamma-Gamma process, while for P>2 kbar the high-field domain is formed by the T-X process. For the second plateau-libe region, the high-field domain is attributed to Gamma-X sequential resonant tunnelling. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.