光纤位移传感器在77和4.2 K下的输出特性研究

介绍了一种可用于低温装置内的补偿式光纤位移传感器(CFODS),讨论了该传感器在低温下的输出特性并在液氮温度(77 K)和液氦温度(4.2 K)下进行了实验研究.结果表明,该传感器在液氮温度下的灵敏度0.311 mm~(-1),高于液氦温度下的灵敏度0.278 mm~(-1).

构成谐振腔的光子晶体端面反射镜的设计

研究了光子晶体作为谐振腔端面反射镜的应用.利用有效折射率法和2D PWE以及2D FDTD方法结合对构成谐振腔的两个端面反射镜进行了设计,得到左端面反射镜的最佳光子晶体晶格周期数为11×11,而右端面反射镜的最佳光子晶体晶格周期数为3×11,这为实验工作提供了良好的理论依据.

高功率共振腔增强型光电探测器研究进展

共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一.在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视.综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等.指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器.

突破间接带局限创新Si基激光器

Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义.由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径.新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge/Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2:RE MOS结构中实现.运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献.

原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌

研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中，原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明，在GaAs的(311)A和(331)A面，原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型，解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。

原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究

研究了分子束外延中引入原子氢后，原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用，原子力显微镜（AFM），测试表明，在（311）AGaAs表面，原子氢导致了台阶状形貌的形成，在这种台阶状表面进一步生长了InAs量子点，测试结果表明其位置分布的有序化受到台阶高度和台阶周期的制约，这为实现量子点结构的有序化控制生长提供了一定的实验参考。

可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构

该文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构。沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成。用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵。阴极荧光谱研究表明

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。

三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[2-33]方向,收缩面由对称的{111}A面构成。低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明

锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为.用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁.