锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为.用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董文甫;王启明;杨沁清;谢小刚;周钧铭;黄绮.锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究,发光学报,1996,17(4):311 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
