氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响


Autoria(s): 牛智川; Noetzel Richard; 周增圻; 吴荣汉; Ploog Klaus H
Data(s)

1998

Resumo

该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19231

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104253

Idioma(s)

中文

Fonte

牛智川;Noetzel Richard;周增圻;吴荣汉;Ploog Klaus H.氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响,半导体学报,1998,19(5):327

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文