可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
该文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构。沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成。用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵。阴极荧光谱研究表明 该文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构。沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成。用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵。阴极荧光谱研究表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:17导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5520.pdf: 329096 bytes, checksum: 74440a8f7c4c174b814af76bd3b8660f (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金 中科院半导体所国家光电子工艺中心;Paul Drude 固体电子学研究所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
牛智川;周增圻;潘钟;吴荣汉;Noetzel R;Ploog K.可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构,半导体学报,1999,20(4):309 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
