匹配In（0.53）Ga���0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

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50周期的In（0.3）Ga���0.7）As/GaAs应变超晶格的生长

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压应变In（0.63）Ga���0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

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（113）B-GaAs/As（0.3）Ga���0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

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MOVPE生长Al（0.35）Ga���0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光

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有序Ga���0.5）In（0.5）P光致发光的研究

国家自然科学基金

注入Ga���子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ga���子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

MOCVD和GSMBE生长Ga���0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.

自发有序Ga���0.5）In（0.5）P合金的静压光致发光研究

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自发有序Ga���0.5）In（0.5）P合金的喇曼光谱研究

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GaAs/Al（0.3）Ga���0.7）As短周期超晶格中负微分电导效应的观察

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低压-金属有机物汽相外延生长的Ga���1-x）InxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.74)In_(0.53)As/InP量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In(0.53)As有源层里观察到 H1(Ev+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)A_s有源层的 H_2(E_v+0.11eV)和 E_2(E_q-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物 。

GaAs/Al（0.4）Ga���0.6）As多量子肼红外探测器光吸收计算

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GaAs/Al（0.33）Ga���0.67）As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

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