Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性

于2010-11-23批量导入

Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures

于2010-11-23批量导入

用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料

分析了Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Si_(1-x-y)G_xC_y材料的制备比较困难。固相外延生长是制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择。通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的造反与外延层结晶质量的关系。指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量，而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应，影响以后的再结晶过程。采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷，而二次外延退火存在着一个最佳退火温区，在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si材料的最佳条件。

Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响

应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si_(1-x)Ge_x层应力弛豫的影响。Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关。在完全应变和完全弛豫的情况下，Si_(1-x)Ge_x层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系。根据实测的Raman峰位，估算了应力弛豫。结果表明

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

研究GaAs基In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件，发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响In_xGa_(1-x)As/GaAs QD形成及形状的一对重要因素，基中衬底温度直接影响着In的偏析程度，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs的生长模式；生长速率影响着In_xGa_(1-x)As外延层的质量，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs QD的形状及尺寸。通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的In_xGa_(1-x)As/GaAs QD(x=0.3)。

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目

Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

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立方相Al_xGa_（1-x）N/GaAs（100）的光致发光研究

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Al_xGa_（1-x）N and GaN/Al_xGa_（1-x）N Quantum Wells Grown by Gas Sourc

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Si_（1-x）Ge_x/Si低维应变材料的发光机理

国家自然科学基金

In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射

国家自然科学基金

3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器

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In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

国家863计划

晶格匹配型GaAs／Al_xGa_（1－x）As量子阱电极光电转换性能的研究

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极.