The evolution of YidC/Oxa/Alb3 family in the three domains of life: a phylogenomic analysis

Background: YidC/Oxa/Alb3 family includes a group of conserved translocases that are essential for protein insertion into inner membranes of bacteria and mitochondria, and thylakoid membranes of chloroplasts. Because mitochondria and chloroplasts are of b

InAs/ln(0.52)Al(0.48)As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001)

Quantum wires were formed in the 6-period InAs/In0.52Al0.48As structure on InP(0 0 1) grown by molecular beam epitaxy. The structure was characterized with transmission electron microscopy. It was found that the lateral periodic compositional modulation in the QWR array was in the [1 (1) over bar 0] direction and layer-ordered along the specific orientation deviating from the [0 0 1] growth direction by about 30 degrees. This deviating angle is consistent with the calculation of the distribution of elastic distortion around quantum wires in the structure using the finite element technique. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

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The radio counter-jet of the QSO 3C 48

We present multi- frequency radio observational results of the quasar 3C 48. The observations were carried out with the Very Large Array ( VLA) at five frequencies, 0.33, 1.5, 4.8, 8.4, and 22.5 GHz, and with the Multi- Element Radio Linked Interferometer Network ( MERLIN) at the two frequencies of 1.6 and 5 GHz. The source shows a one- sided jet to the north within 1", which then extends to the northeast and becomes diffuse. Two bright components ( N2 and N3), containing most of the flux density, are present in the northern jet. The spectral index of the two components is alpha(N2) similar to -0.99 +/- 0.12 and alpha(N3) similar to - 0.84 +/- 0.23 ( S proportional to nu(alpha)). Our images show the presence of an extended structure surrounding component N2, suggestive of strong interaction between the jet and the interstellar medium ( ISM) of the host galaxy. A steep- spectrum component, labelled S, located 0.25 " southwest to the flat- spectrum component which could be the core of 3C 48, is detected at a significance of > 15 sigma. Both the location and the steepness of the spectrum of component S suggest the presence of a counter- jet in 3C 48.

YidC/Oxa/Alb3超家族蛋白的起源演化研究

YidC/Oxa/Alb3超家族蛋白是重要的蛋白转运酶，分别负责将一些能量合成相关的蛋白质转运到细菌内膜、线粒体内膜和叶绿体类囊体膜。因为线粒体和叶绿体起源于内共生的细菌，所以真核细胞线粒体的Oxa和叶绿体的Alb3很容易像许多其它线粒体/叶绿体蛋白质一样被认为是起源于内共生细菌的同源物YidC。事实是否如此？我们基于已有的基因组数据库，对整个生物界中的众多古菌、真细菌和真核生物中YidC/Oxa/Alb3超家族的分布和分子系统发育关系进行了较全面、系统的调查分析，获得了如下主要结果： 1）YidC在古细菌中有所发现，但只零星分布于一些广古菌（Euryarchaeota）中；2）绝大多数真细菌只有一个YidC基因，但一些革兰氏阳性菌（芽胞杆菌、乳酸杆菌、放线菌和梭菌中的一些物种）已分化出两个YidC基因；3) 分子系统分析显示：线粒体Oxa、叶绿体Alb3和古菌YidC组成了3个独立的进化分枝，线粒体Oxa并未与蛋白菌序列聚在一起，叶绿体Alb3也未显示出与蓝细菌YidC有更近的亲缘关系；4）真菌、后生动物、绿藻和植物均具有两个Oxa（Oxa1和Oxa2）基因，这些真核生物的Oxa序列聚在两个独立的分开的进化枝上(Oxa1和Oxa2)；绿藻和植物中普遍具有两个Alb3基因。绿藻类生物的Alb3分布在两个独立的进化枝上，标记为Alb3.1和Alb3.2。植物Alb3序列也分布在两个不同的进化枝（Alb3.a和Alb3.b）上，并且它们一起和绿藻Alb3.1进化枝距离最近；结构域分析显示绿藻和植物中的Oxa2具有一个额外的C端TPR结构域；一些原生生物中Oxa和Alb3同源物的数目和在进化树上的聚类情况很特殊。 根据以上结果，我们认为：YidC亚家族蛋白在真细菌和一些广古菌中已起源；真核生物Oxa和Alb3基因有不同的原核起源，但它们的起源跟这两个细胞器的内共生起源事件无关；Oxa基因和Alb3基因在真核细胞进化早期即分别发生了古老的重复事件，因此现在绝大多数真核生物中均有两个Oxa和两个Alb3基因。但是后来在一些类群中，尤其是原生生物中，Oxa和Alb3基因发生了次生性丢失、新的复制或获得新的结构域编码片段，从而导致这些类群中这两种转运酶有丰富的多样性和不同的适应性。 最终，基于以上结果和结论，我们勾勒出了YidC/Oxa/Alb3超家族在整个生 I 物界中的进化路线图。

MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱(MQWs)结构.通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征.在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4 nm,Al组分分别为0.48和0.54.在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力.CL测试表明,AlGaN MQWs结构的发光波长为295 nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光.

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应

在低温强磁场条件下,对In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.

两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)A_(l0.48)As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E_(21)=κ*ω_c(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E_(21)=(2κ+1*ω/2,填充因子出现奇数.

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

研究了不同沟道厚度的In_(0.53) Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.

双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.

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用P型InP衬底新月型(PBC)结构制备1.48μm大功率激光,与单模光纤耦合输出功率大于40mW.

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