In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
在低温强磁场条件下,对In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的. 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 7CB9249 1)资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
商丽燕;林铁;周文政;李东临;高宏玲;曾一平;郭少令;俞国林;褚君浩.In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应,物理学报,2008,57(8):5232-5236 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
