In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
研究了不同沟道厚度的In_(0.53) Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关. 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2)资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
商丽燕;林铁;周文政;黄志明;李东临;高宏玲;崔利杰;曾一平;郭少令;褚君浩.In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性,物理学报,2008,57(4):2481-2485 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
