双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
| Data(s) |
2007
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| Resumo |
研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上. 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周文政;林铁;商丽燕;黄志明;朱博;崔利杰;高宏玲;李东临;郭少令;桂永胜;褚君浩.双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究,物理学报,2007,56(7):4143-4147 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
