盐和有机物对氨基酸热力学性质的影响-NaCl氨基酸-葡萄糖-水体系

在278.15-318.15范围内，本文测定了以下四个无液接电池的电动势：Pt,H_2(g, 1 atm)|HCl(m)、X Mass% Glucose-H_2O|Ag-AgCl (A) Pt,H_2 (g, 1 atm)|G(m_1), HGCl (m_2), X Mass% Glucose-H_2O|Ag-AgCl (B) Pt,H_2 (g, 1 atm) |HCl (m), NaCl (M-m), X Mass% Glucose-H_2O|Ag-AgCl (C) Pt,H_2 (g, 1 atm)|G(m_1), HGCl (m_2), NaCl (M-m), X Mass% Glucose-H_2O|Ag-AgCl (D) 其中G为中性甘氨酸，NH_3CH_2COO~-, HGClm为甘氨酸的盐酸盐，为相应电解质的质量摩尔浓度，X为葡萄糖在葡萄糖-水混合溶剂中的质量百分数，M为恒定的离子强度且M = 1.0mol/kg。并且测定了Glucose-H_2O的密度和介电常数。利用传统的D-H公式外推法和基于Pitzer理论的多项式逼近法分别确定了电池的标准电动势E°_3、E°_3，以及甘氨酸的一级热力学解离1.0mol/kg）-葡萄糖-水-HCl的HCl无限稀释溶液为参考态，并将两种方法得到的结果作了比较。甘氨酸的一级热力学解离常数符合Harned-Robinson方程：pK = A_1/T + A_2 + A+3 T 本文讨论了盐和有机物对pK_1的影响，并根据前人及我们的工作，指出在极性质子溶剂中和在极性非质子溶剂中的pK_1对1/D作图，分别得到直线和曲线。同时讨论了混合溶剂中甘氨酸的一级解离过程的各个热力学量ΔG°，ΔH°，ΔS°，ΔCp°，并讨论HCl的迁移性质和有机物葡萄糖、盐对它们的影响。最后将不同混合溶剂中甘氨酸解离过程的迁移能，迁移熵等作了比较。

中国都江堰汉族人群线粒体DNA 控制区遗传变异与长寿的相关性研究

随着社会的进步和医疗卫生水平的不断提高，人类获得了更高的平均寿 命，很多国家都步入了老龄化社会的行列。由于长寿具有遗传的倾向，所以 科学家们致力于人类长寿及衰老性疾病发生机理的研究，目的是为了使人类 在获得更长寿命的同时能够抵御或减缓老年性疾病的侵袭，远离衰老带来的 困扰，享受高质量的生活。 线粒体是真核生物的重要细胞器，具有长度为约为16569bp 的环状 DNA 分子。在人类群体，特别是欧洲群体的相关性研究中，线粒体DNA （mtDNA）编码区和控制区的一些多态性位点显示出与长寿及衰老性疾病的 相关。特别是mtDNA 控制区的C150T 变异除了在多个长寿人群中富集之外， 更是具有改变mtDNA 重链复制起始位点的功能。 为了探讨mtDNA 控制区多态性位点与中国汉族长寿人群是否存在相关 性，本研究在中国四川省都江堰地区采集了556 名年龄90 至108 岁的互无 关系的长寿老人血液样本，其中男性202 名，女性354 名。同时还采集了 214 名长寿老人的亲属和312 名无关对照的血液样本，年龄分别在10 至69 岁之间和22 到73 岁之间。我们对这些样本的mtDNA 通过测序和RFLP 等 手段进行了扫描，采集并记录了mtDNA 单倍型类群信息和控制区位点多态 信息。 在该人群中，本研究发现mtDNA 的主要单倍型类群与长寿没有显著的 相关性，总体单倍型类群频率分布在三个组别中基本一致（p=0.318）。对 mtDNA 控制区C150T 变异的频率在三个组别中做了包括总体频率差异，区 分mtDNA 单倍型类群的频率差异，区分样本性别的频率差异以及mtDNA 单倍型类群与性别信息联合的频率差异的分析。虽然在个别的比较中得到了 显著差异，但经过多重检验校正后，结果均变得不显著。此外，对146、152189 和195 等四个同样处于mtDNA 控制区复制起始区域的变异位点的初步 分析，同样没有获得显著的差异。不支持此前在欧洲长寿人群和日本长寿人 群得到的结论。 综上所述，本研究第一次在中国汉族人群中对mtDNA 控制区多态性与 长寿的相关性进行了研究。mtDNA 与人类长寿的关系还有待于更深层次的 机理性研究和功能性研究来揭示。

GAAS/GAALAS GRADED INDEX SEPARATE CONFINEMENT SINGLE QUANTUM-WELL SINGLE-MODE WAVE-GUIDE ELECTROABSORPTION LIGHT-MODULATOR

A GaAs/GaAlAs graded-index separate confinement single quantum well heterostructure single-mode ridge waveguide electroabsorption modulator was fabricated and investigated. For the modulator with a quantum well width of 100 angstrom and device length of 700-mu-m, an on/off ratio of 29.7 dB and estimated absorption insertion loss of 3 dB were obtained for TE polarised light with wavelength 8650 angstrom, and for TM polarisation the on/off ratio was 28.5 dB. With a switching voltage of 1 V, an on/off ratio of 15 dB was achieved. Photocurrent spectra exhibited a red shift of 600 angstrom of the absorption edge when the voltage applied to the PIN diode was varied from 0.5 to -7 V. The corresponding shift of the room temperature exciton peak energy was 96 meV.

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si_2H_6和GeH_4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm~(-1),具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm~(-2).可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.

脊形结构LiNbO3光波导调制器的扩展点匹配法分析

将点匹配法扩展应用于脊形结构LiNbO3光波导调制器电极的准静态分析中.将调制器各区域的势函数表示为该区域中满足Laplace方程的一系列基函数的级数,匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数.通过势函数得到脊形结构LiNbO3光波导调制器结构中电场分布的解析表达式,利用求得的电场可以得到调制器特性阻抗及有效折射率.所得的特性阻抗和有效折射率与采用有限元法得到的结果十分吻合.这一分析方法简便快捷,精度高,能够处理电极有一定厚度的多层光波导调制器结构.

多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰

通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理。

Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots

　

Applications of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semiconductor photoelectronic devices

The paper reports a method of depositing SiO2, SiNx, a:Si, Si3N4 and SiOxNy dielectric thin films by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition (ECR CVD) on InP, InGaAs and other compound semiconductor optoelectronic devices,and give a technology of depositing dielectric thin films and optical coatings by ECR CVD on Laser's Bars. The experiment results show the dielectric thin films and optical coatings are stable at thermomechanical property,optical properties and the other properties. In addition, the dielectric thin film deposition that there is low leakage current is reported for using as diffusion and ion implatation masks in the paper. In the finally, the dielectric film refractive index can be accurately controlled by the N-2/O-2/Ar gas flow rate.