UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si_2H_6和GeH_4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm~(-1),具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm~(-2).可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件. 国家自然科学基金（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周志文;蔡志猛;张永;蔡坤煌;周笔;林桂江;汪建元;李成;赖虹凯;陈松岩;余金中;王启明.UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层,半导体学报,2008,29(2):315-318 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
