多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理。 通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:15导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5876.pdf: 202336 bytes, checksum: 623e0d5cc72544c258c246d90d433a1d (MD5) Previous issue date: 1996 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
夏永伟;滕学公.多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰,半导体学报,1996,17(4):318 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
