572 resultados para IMPLANTED SI

ELECTRONIC-PROPERTIES OF THE CR-SI(111) INTERFACES

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PHOTOEMISSION-STUDIES OF CHEMICAL BONDING AND ELECTRONIC STATES AT THE FE/SI INTERFACE

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PHASE-TRANSITION OF ATOMIC STRUCTURES ON SI(113) SURFACE

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A STUDY ON THE INITIAL-STAGES OF AU-SI(1 1 3) INTERFACE FORMATION

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CHARACTERIZATION OF SI-SIO2 INTERFACE STATES IN MOS CAPACITORS BY USING DLTS TECHNIQUE

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REGROWTH OF MBE-GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES BY HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING

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DEFECTS INDUCED BY P+-IMPLANTED IN SILICON

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THE PASSIVATING EFFECT OF SI(100)-AS SURFACE AND THE ADSORPTION OF OXYGEN

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ELECTRON SPECTROSCOPIC STUDIES OF THE DY/SI(111) INTERFACE

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NEGATIVE-U PROPERTY OF THE DX CENTER IN ALXGA1-XAS-SI

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HIGH-RATE ION ETCHING OF GAAS AND SI AT LOW ION ENERGY BY USING AN ELECTRON-BEAM EXCITED PLASMA SYSTEM

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A POSSIBLE MODEL - PHOTOTHERMAL EXCITATION VIA AN EXCITED-STATE IN THE SI-PD LEVEL

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SI(331)-6X2 SURFACE PHASE AND OXYGEN-CHEMISORPTION

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NON-OHMIC CONDUCTION IN GLOW-DISCHARGE A-SI - H FILMS

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STUDY OF LOCAL VIBRATIONAL-MODE ABSORPTIONS OF A DEFECT RELATED TO EL2 IN SI-GAAS

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