RTD基高速多值量化器的设计

建立的RTD SPICE模型,与实际制作的GaAs基RTD器件进行了拟合验证.对四值量化器电路的工作原理进行了解释说明,通过器件参数的提取,对电路进行了模拟仿真,确定了电路相关参数.通过公式计算得出的电路阈值电压与模拟结果一致.最后对电路最大的工作频率进行了分析.

用于视觉修复的视网膜下植入微芯片

为治疗由视网膜光感受器退化引起的失明，研制了一种可以满足视网膜下植入要求的光电刺激器件——硅基PIN光电探测器阵列结构微芯片，这种电刺激芯片可以在一定程度上代替因疾病受损的光感受细胞，向位于光感受细胞之后、尚未损伤的其他视网膜细胞发出电刺激，从而引发视神经的视觉冲动。微芯片制作采用了硅、硅氧化物以及金等生物相容性较好的材料。在微芯片上利用半导体工艺刻蚀隔离槽，形成一个探测器面阵，面阵上的每个探测器单元可以根据照射在其上的光强大小产生相应的刺激电流。对制作的芯片进行了生物相容性、伏安特性、响应度以及光谱特性的测量，结果表明，芯片在眼睛安全用光的范围内可以产生足够强度的刺激电流，满足动物植入实验的要求。

半导体激光器同轴封装的高频影响:分析与实验

存高频调制下，封装对半导体激光器的影响非常显著。通过分析封装前后激光器散射参量之间的火系，推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法

格点形状和取向对二维光子晶体禁带的影响

以椭圆形和正方形介质柱组成的二维正方晶格为例,讨论了格点形状和取向变化时对光子晶体能带的影响,对比分析了波矢在周期性平面和不在周期性平面2种情况下的能带图.计算表明:格点形状和取向的适当变化可以使没有完全带隙的光子晶体出现完全带隙,低阶的完全带隙转变成高阶完全带隙.此外,经对比发现:波矢偏离周期性平面对椭圆形介质柱的正方晶格形成的完全带隙的影响,要比正方形介质柱正方晶格的完全带隙的影响要大得多.

分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究

报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光．

构建虚拟网络的网络分析仪夹具校准新方法

一般矢量网络分析仪(VNA)的双端口测试夹具校准，至少需要三个已知标准才能实现．本文基于Triple-Through理论构建两个虚拟的对称网络，提出了一种只需要采用一个标准的网络分析仪双端口测试夹具校准新方法．采用这种方法校准测试夹具后，扣除夹具影响的实验结果与没有测试夹具转接直接测试数据十分吻合，证明该方法精度高，而且简单易行．

有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析

阐述了量子点内能级结构与应变的关系，用ANSYS7．1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下

异质外延自组织量子点弹性应变场分布的研究

通过有限元法，在ANSYS环境下，利用二维模型对自组织应变外延异质结透镜形量子点的应力应变分布情况进行了系统分析。分析过程分别考虑了孤立量子点系统、单层多量子点系统以及量子点超晶格系统3种情况，结果表明单层和超晶格多量子点系统衬底之间存在的长程相互作用力对量子点及其周围的应力应变分布有显著影响。在计算应变对多量子点系统的电子结构的影响时，必须将多量子点系统整体考虑。

低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器

采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0～29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs.

含寄生网络的激光器小信号调制响应模拟新方法

在高速通信中应准确分析激光器高频调制响应需要计及寄生网络的影响。推导了激光器测试系统散射参数与本征响应传输函数之间的关系，提出用激光器散射参数扣除求取激光器本征响应和模拟激光器整体小信号调制响应的新方法。结合激光器的等效电路和速率方程分析，避免了单独测量寄生网络和估计有源区电路参数。对法布里-珀罗型激光器样品测试发现，仿真与实验的结果吻合。这一模拟方法简便快捷，准确性好。

带胶剥离工艺粘附性实验研究

带胶剥离是微电子工艺的常见工艺步骤.文章通过对带胶剥离的样品进行退火实验,研究了电极蒸发金属和不同基底的粘附特性.实验表明,带胶剥离工艺制备的电极,其金属与衬底的粘附性差,退火过程产生气泡,严重影响了器件的特性.蒸发温度、蒸发室真空度,以及基片表面的清洁度与气泡产生有密切的关系.从这几点入手,提出了相应的改进方法.

光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展

文章简要介绍了光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展,重点分析了控制和驱动电路的功能以及不同类型和材料的光开关的控制和驱动电路的实现形式.同时讨论了控制和驱动电路与光开关芯片的系统集成方法.

隔离电阻对集成光源特性的影响分析

提出了一种分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源(EML)的等效电路模型.该模型考虑了由于隔离电阻不够大而导致的激光器与调制器之间的电耦合,通过对电路模型进行仿真可以看出,对于不同隔离电阻的EML,激光器的阈值电流、调制器的频率响应带宽、集成器件的小信号调制和脉冲调制等多方面特性均有明显不同.分析得到,EML的隔离电阻阻值只有达到10 kΩ量级,才能够忽略电泄漏对器件特性的影响.并指出EML在更高的偏置下,将对隔离电阻提出更高的要求.

1.55μm MOEMS可调谐光滤波器调谐性能模拟

建立了等效单层梁模型和一维集总模型,用经典力学理论和传输矩阵方法模拟了多层材料构成且具有四臂固支梁结构的1.55μm Si基MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechnical-Systems)可调谐滤波器的调谐特性.模拟调谐系数与实验结果吻合较好.

带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制

利用MOCVD生长了14xxnm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片.采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实验条件下制作800μm腔长激光器管芯,在相同的驱动电流下前者可以获得更高的输出光功率,而且P-Ⅰ曲线线性度较好、饱和电流高.1200μm腔长带有锥形增益区脊型波导结构管芯功率达到500mW,饱和电流3A以上,峰值波长1460nm,远场发散角为39°×11°.