有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
阐述了量子点内能级结构与应变的关系，用ANSYS7．1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下 阐述了量子点内能级结构与应变的关系，用ANSYS7．1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:21导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4453.pdf: 310182 bytes, checksum: a32971ec940eda4b537c31d7e916170b (MD5) Previous issue date: 2005 863计划,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目 北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所 863计划,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨红波;俞重远;刘玉敏;黄永箴.有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析,高技术通讯,2005,15(6):46-49 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
