半导体激光器同轴封装的高频影响:分析与实验
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
存高频调制下，封装对半导体激光器的影响非常显著。通过分析封装前后激光器散射参量之间的火系，推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法 存高频调制下，封装对半导体激光器的影响非常显著。通过分析封装前后激光器散射参量之间的火系，推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:06导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4427.pdf: 249768 bytes, checksum: 750b2fecfe668e691688af6b30ee0b8c (MD5) Previous issue date: 2005 国家863计划,国家973计划,国家杰出青年基金资助课题 中国科学院半导体研究所 国家863计划,国家973计划,国家杰出青年基金资助课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张尚剑;刘超;陈诚;伞海生;谢亮;祝宁华.半导体激光器同轴封装的高频影响:分析与实验,光学学报,2005,25(9):1214-1218 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
