分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光． 报道了(GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs)／GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果．变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质．讨论了光谱双峰结构的跃迁机制．通过优化生长条件，获得了室温1．31μm发光． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4450.pdf: 279369 bytes, checksum: 3ee665b45d93e46e6f01a123c7d15a73 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金,863计划资助,中国博士后科学基金支持的课题 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,863计划资助,中国博士后科学基金支持的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐晓华;牛智川;倪海桥;徐应强;张纬;贺正宏;韩勤;吴荣汉;江德生.分子束外延生长的（GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs量子阱光致发光谱研究,物理学报,2005,54(6):2950-2954 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
