用GSMBE法生长匹配型GaInAsP/InP材料及量子阱、面发射激发器结构的研究

报道通过在位组分调整,配合X射线双晶衍射测试和光致发光测试,生长了与InP精确匹配的GaLnAsP(失配度达4×10~(-4)).生长了GaInAs/InP量子阱结构的光致发光半峰宽达5.72meV.实验表明源炉档板开启 后生长速率是不均匀的,这对生长量子阱和DBR结构是个值得注意的问题,经考虑生长速率变化后生长的面发射激光器结构样片的反射率谱与理论计算的结果很好地相符.

1.55μm InGaAsP/InP DH激光器中的0.95μm发光带与Auger复合

于2010-11-23批量导入

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga（1-x）InxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.74)In_(0.53)As/InP量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In(0.53)As有源层里观察到 H1(Ev+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)A_s有源层的 H_2(E_v+0.11eV)和 E_2(E_q-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物 。

Cs/InP（100）界面相互作用性质的研究

于2010-11-23批量导入

InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析

于2010-11-23批量导入

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料

于2010-11-23批量导入

Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰

分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′－2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参12

MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件

讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5

InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

于2010-11-23批量导入

InGaAsP/InP PBH 双区共腔双稳激光器的H＋轰击掩膜研究

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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

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低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

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不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

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