InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析
Data(s) |
1993
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Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:15:03导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6158.pdf: 2700734 bytes, checksum: f9ac57b7ffae5a0b2b46f75fcbcfb151 (MD5) Previous issue date: 1993 中科院半导体所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
朱龙德;李昌;陈德勇;熊飞克.InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析,半导体学报,1993,14(4):208 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |