1.55μm InGaAsP/InP DH激光器中的0.95μm发光带与Auger复合

于2010-11-23批量导入

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga（1-x）InxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.74)In_(0.53)As/InP量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In(0.53)As有源层里观察到 H1(Ev+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)A_s有源层的 H_2(E_v+0.11eV)和 E_2(E_q-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物 。

Cs/InP（100）界面相互作用性质的研究

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InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析

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气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料

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MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件

讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5

InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

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InGaAsP/InP PBH 双区共腔双稳激光器的H＋轰击掩膜研究

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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

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低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

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不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

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