1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计

从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端.

用于波分复用的光子晶体滤波器

本文从光子晶体的光子频率禁带特性出发，提出了用2个或以上的均匀周期结构光子晶体叠加在一起，形成叠层结构光子晶体，以获得窄带滤波特性的设想；利用光学传输矩阵法对这种结构进行了数值计算，结果证实了构思的正确性，设计了信道间隔为8 nm的8信道波分复用（WDM）和信道间隔0.8 nm的8信道密集波分复用（DWDM）光子晶体滤波器。

稀土掺杂ZnS纳米晶中稀土离子与纳米基质之间的能量传递

以甲基丙烯酸为表面包覆剂在水/醇溶液中合成了ZnS:Eu~3+, ZnS:Tb~3+纳米晶，用傅里叶变换红外光谱和X射线粉末衍射谱表征了样品的表面与晶型，样品均为立方闪锌矿型，没有出现与稀土离子相关的相；用光致发光和激发谱研究了样品中的发光过程，其中ZnS:Tb~3+纳米晶中存在纳米基质与Tb~3+之间的能量传递，并引起Tb~3+的特征发射。

原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体

以Al-Mg和Al-Mg-Y合金为原料，通入高纯度的氮气，利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AIN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松，有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高，含氧量为1.23%，平均粒径为6.78μm, 物相为单相AIN；复合AIN粉体物相组成为AIN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2O3相。粒径分布曲线呈双峰现象，从提高粉体的充填系数角度考虑，具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化。

协同工作环境中一种语音编码器的仿真

于2010-11-23批量导入

纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为15～18nm和80nm的纳米晶Si在室温下、24GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它们分别在19～17GPa和14GPa左右发生了金属化相变。

垂直腔面发射激光器的研究开发现状及其应用

于2010-11-23批量导入

薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)

亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100--200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求。实验证实：采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进。该工艺包括：硅离子自注入和热退火。X射线双晶衍射和器件电学测量表明：多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高。固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路。

平面阵列光学波导模式特性及其光强传输分析

分析了平面阵列波导的模式特性。其导波模式为周期性调幅的平面波(Bloch波)。阵列波导输入/输出波导结构是影响其传输特性的重要因素。采用扇形过渡波导结构以提高阵列波导输入/输出端口芯区宽度与波导周期宽度的比值，可降低阵列波导光强的传递损耗。并可改善布里渊区入射/出射波的损耗非均匀性。采用低折射率差的波导芯区/包层结构可降低波导对光波的限制，提高光强的传输效率。

多孔硅中的电子激发态及其光谱研究

用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阱.运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰.

InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析

于2010-11-23批量导入

黄昆X射线漫散射的实验研究

于2010-11-23批量导入

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

于2010-11-23批量导入