薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100--200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求。实验证实：采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进。该工艺包括：硅离子自注入和热退火。X射线双晶衍射和器件电学测量表明：多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高。固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路。 亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100--200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求。实验证实：采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进。该工艺包括：硅离子自注入和热退火。X射线双晶衍射和器件电学测量表明：多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高。固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:46导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5443.pdf: 411811 bytes, checksum: 240fd62faf549f9f70c8ad6136eb9838 (MD5) Previous issue date: 2000 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王启元;聂纪平;刘忠立;郁元桓.薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文),半导体学报,2000,21(6):521 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
