原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体
Data(s) |
2001
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Resumo |
以Al-Mg和Al-Mg-Y合金为原料,通入高纯度的氮气,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AIN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高,含氧量为1.23%,平均粒径为6.78μm, 物相为单相AIN;复合AIN粉体物相组成为AIN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2O3相。粒径分布曲线呈双峰现象,从提高粉体的充填系数角度考虑,具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化。 以Al-Mg和Al-Mg-Y合金为原料,通入高纯度的氮气,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AIN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高,含氧量为1.23%,平均粒径为6.78μm, 物相为单相AIN;复合AIN粉体物相组成为AIN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2O3相。粒径分布曲线呈双峰现象,从提高粉体的充填系数角度考虑,具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:46导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5146.pdf: 480531 bytes, checksum: 7ebf6d731e2f659fffbdd42ff7a186a1 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所;北京工业大学材料科学与工程学院 国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
郑新和;王群;林志浪;周美玲.原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体,中国稀土学报,2001,19(5):430 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |