原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体


Autoria(s): 郑新和; 王群; 林志浪; 周美玲
Data(s)

2001

Resumo

以Al-Mg和Al-Mg-Y合金为原料,通入高纯度的氮气,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AIN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高,含氧量为1.23%,平均粒径为6.78μm, 物相为单相AIN;复合AIN粉体物相组成为AIN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2O3相。粒径分布曲线呈双峰现象,从提高粉体的充填系数角度考虑,具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化。

以Al-Mg和Al-Mg-Y合金为原料,通入高纯度的氮气,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AIN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高,含氧量为1.23%,平均粒径为6.78μm, 物相为单相AIN;复合AIN粉体物相组成为AIN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2O3相。粒径分布曲线呈双峰现象,从提高粉体的充填系数角度考虑,具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:08:46导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5146.pdf: 480531 bytes, checksum: 7ebf6d731e2f659fffbdd42ff7a186a1 (MD5) Previous issue date: 2001

国家自然科学基金

中科院半导体所;北京工业大学材料科学与工程学院

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18197

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103736

Idioma(s)

中文

Fonte

郑新和;王群;林志浪;周美玲.原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体,中国稀土学报,2001,19(5):430

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文