In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究

于2010-11-23批量导入

匹配In（0.53）Ga（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

于2010-11-23批量导入

50周期的In（0.3）Ga（0.7）As/GaAs应变超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

于2010-11-23批量导入

（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

于2010-11-23批量导入

InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

于2010-11-23批量导入

MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光

于2010-11-23批量导入

有序Ga（0.5）In（0.5）P光致发光的研究

国家自然科学基金

静压下ZnS（0.02）Te（0.98）混晶的共振喇螺散射研究

于2010-11-23批量导入

MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P合金的静压光致发光研究

于2010-11-23批量导入

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P合金的喇曼光谱研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/Al（0.3）Ga（0.7）As短周期超晶格中负微分电导效应的观察

于2010-11-23批量导入

High-field nonlinear perpendicular transport in a GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7) As short-period superlattice

于2010-11-23批量导入