掩埋式多模干涉型分束器的反射性能

通过束传播方法（RPM）模拟了SiO2基掩埋式波导结构多模干涉（MMI）型分束器的反射性能，模拟结果表明，MMI工作在分束模式时存在最优的多模干涉长度实现最大输出和最小反射，而在合束模式下实现最大输出时反射也达到最大，这是由自映象原理决定的。SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用，其最大反射功率为-60dB。分析表明，多模干涉区末端的界面反射率决定了器件的反射强弱，SiO2基掩埋式波导的界面反射率非常低，这是其低反射的原因。

低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器

采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0～29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs.

含寄生网络的激光器小信号调制响应模拟新方法

在高速通信中应准确分析激光器高频调制响应需要计及寄生网络的影响。推导了激光器测试系统散射参数与本征响应传输函数之间的关系，提出用激光器散射参数扣除求取激光器本征响应和模拟激光器整体小信号调制响应的新方法。结合激光器的等效电路和速率方程分析，避免了单独测量寄生网络和估计有源区电路参数。对法布里-珀罗型激光器样品测试发现，仿真与实验的结果吻合。这一模拟方法简便快捷，准确性好。

双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究

采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证.给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形.实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义.

VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性

采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作.但是漂移扩散机制具有明显欧姆性,在利用缓变DBR结构消除异质尖峰势垒之后漂移扩散机制将决定主要的电流输运.

半导体微结构物理效应及其应用讲座 第2讲 量子阱、超晶格物理及其在光电子领域中的应用

文章介绍了半导体量子阱、超晶格的基本物理,以及它在光电子领域中的应用,包括量子阱、量子线、量子点、激光器、光调制器、自电光效应器件、量子点器件等.

用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模

较全面介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体（半导体可饱和吸收镜）进行被动调Q和锁模。

风光互补发电系统的优化设计II匹配设计实例

根据风光互补发电系统优化设计的CAD方法编制了相应的匹配计算程序，并把该程序应用于一假定安装在香港横澜岛上的风光互补发电系统的优化设计。利用香港天文台提供的1989年全年每小时实测的太阳辐射、风速和温度 及全年负载用电分布等数据给出了满足两种供电可靠性要求即全年功率供给亏欠率LPSP分别等于0.1和0.01的优化了的系统配置。文章还比较并讨论了这两种优化的系统配置每小时、每日、每月和全年的性能表现。

中国半导体材料科学的开拓者-林兰英

1.求学生涯

(Ga, Mn, As)/GaAs的发光谱

利用低能双离子束外延技术，在400 ℃条件下生长样品（Ga, Mn, As）/GaAs。样品光致发光谱出现三个峰，即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带。宽发光带的中心位置在1.35eV附近，半宽约0.1eV在840 ℃条件下对样品进行退火处理，退火后的谱结构类似退火前，但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5066eV和1.4894eV，同时低能侧的宽发光带的强度大大增加。这一宽发射的来源还不清楚，原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带，生成Mn_2As新相，Mn占Ga位或形成GaMnAs合金。

Fiber Coupling of Laser Diode Bar to Multimode Fiber Array

A piece of multimode optical fiber with a low numerical aperture (NA) is used as an inexpensive microlens to collimate the output radiation of a laser diode bar in the high numerical aperture (NA) direction. The emissions of the laser diode bar are coupled into multimode fiber array. The radiation from individual ones of emitter regions is optically coupled into individual ones of fiber array. Total coupling efficiency and fiber output power are 75% and 15W, respectively.

低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

采用端面有效反射率法，从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器(Electroabsortpion Modulated DFB Laser,EML)的腔面反射率、耦合强度(κL)对其波长漂移的影响。同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果。理论与实验的结果表明

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用LP-MOVPE在SiO_2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG)。通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm。光致发光(PL)测试表明

低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构

利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。

A new wavelength selective photoreceiver

于2010-11-23批量导入