低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。 利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:30导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5393.pdf: 312862 bytes, checksum: 164b08e40a0223883444d485e60d5038 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 清华大学微电子学研究所;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王燕;岳瑞峰;韩和相;廖显伯;王永谦;刁宏伟;孔光临.低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构,半导体学报,2001,22(5):599 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
