VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性
Data(s) |
2004
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Resumo |
采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作.但是漂移扩散机制具有明显欧姆性,在利用缓变DBR结构消除异质尖峰势垒之后漂移扩散机制将决定主要的电流输运. 采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作.但是漂移扩散机制具有明显欧姆性,在利用缓变DBR结构消除异质尖峰势垒之后漂移扩散机制将决定主要的电流输运. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:30导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4752.pdf: 405287 bytes, checksum: 50519b3250b2ca1cc236f627b5d46a1d (MD5) Previous issue date: 2004 中科院半导体所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
康香宁;陈良惠.VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性,固体电子学研究与进展,2004,24(1):50-54 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |