垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量子效率峰值在0.95μm处达到20%。

温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。

赝配GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

半导体材料开放实验室基金,国家自然科学基金

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱的平方电光效应和光折变效应的研究

于2010-11-23批量导入

In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究

于2010-11-23批量导入

In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究

于2010-11-23批量导入

匹配In（0.53）Ga（0.47）As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析

于2010-11-23批量导入

50周期的In（0.3）Ga（0.7）As/GaAs应变超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

于2010-11-23批量导入

（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

于2010-11-23批量导入

InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

于2010-11-23批量导入

MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光

于2010-11-23批量导入

有序Ga（0.5）In（0.5）P光致发光的研究

国家自然科学基金