Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates

A Shubnikov-de Haas (SdH) oscillation measurement was performed on highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates at a temperature of 1.4 K. By analyzing the experimental data using fast Fourier transform, the electron densities and mobilities of more than one subband are obtained, and an obvious double-peak structure appears at high magnetic field in the Fourier spectrum. In comparing the results of SdH measurements, Hall measurements, and theoretical calculation, we found that this double-peak structure arises from spin splitting of the first-excited subband (i=1). Very close mobilities of 5859 and 5827 cm(2)/V s are deduced from this double-peak structure. The sum of the carrier concentration of all the subbands in the quantum well is only 3.95x10(12) cm(-2) due to incomplete transfer of the electrons from the Si delta -doped layer to the well. (C) 2001 American Institute of Physics.

甚短距离光传输技术

本书从光电子器件及其在光通信领域的应用出发，介绍了甚短距离光传输技术的组成、原理、实现方案、技术性能、关键技术以及在高速互连领域内的应用等。本书重点阐述了垂直腔面发射激光器的原理、工艺和特性；10gb/s和40gb/s传输方案的具体实现及其性能指标；甚短距离光传输涉及到的各项关键技术，如新型多模光纤技术、cwdm复用技术、硅探测器技术、高速光电集成(oeic)技术以及相关高速网络技术等。

Parallel optical communication subsystem based on VCSEL - art. no. 67833I

A parallel optical communication subsystem based on a 12 channels parallel optical transmitter module and a 12 channels parallel optical receiver module can be used as a 10Gbps STM-64 or an OC-192 optical transponder. The bit error rate of this parallel optical communication subsystem is about 0 under the test by SDH optical transport tester during three hours and eighteen minutes.

Proposed scheme for parallel 10Gb/s VSR system and its Verilog HDL realization

This paper proposes a novel and innovative scheme for 10Gb/s parallel Very Short Reach (VSR) optical communication system. The optimized scheme properly manages the SDH/SONET redundant bytes and adjusts the position of error detecting bytes and error correction bytes. Compared with the OIF-VSR4-01.0 proposal, the scheme has a coding process module. The SDH/SONET frames in transmission direction are disposed as follows: (1) The Framer-Serdes Interface (FSI) gets 16x622.08Mb/s STM-64 frame. (2) The STM-64 frame is byte-wise stripped across 12 channels, all channels are data channels. During this process, the parity bytes and CRC bytes are generated in the similar way as OIF-VSR4-01.0 and stored in the code process module. (3) The code process module will regularly convey the additional parity bytes and CRC bytes to all 12 data channels. (4) After the 8B/10B coding, the 12 channels is transmitted to the parallel VCSEL array. The receive process approximately in reverse order of transmission process. By applying this scheme to 10Gb/s VSR system, the frame size in VSR system is reduced from 15552x12 bytes to 14040x12 bytes, the system redundancy is reduced obviously.

后向无关联性的本地验证撤销群签名研究

数字签名，是密码理论的一个重要分支，在身份认证等方面举足轻重。但随着电子商务、电子政务等业务的不断展开，在多用户参与的应用环境中显得捉襟见肘。群数字签名应运而生，主要特点是保护了签名者的匿名性。 群签名撤销研究的两个主要方向：设计算量小的撤销成员算法，以及保证成员被撤销之前签名的匿名性和无关联性。目前主要有基于撤销列表（RL）和证据的撤销算法是两类主流算法，前者更适用于移动环境中。因此，在网络化、信化的今天，基于撤销列表的群签名的研究显得弥足重要。 本地验证撤销（VLR），是目前效率最高的一种基于撤销列表的方法。后向无关联性（BU），是指当成员即使在某个时段被撤销，以前的签名仍然保持匿名性。本论文主要工作，是对有群签名方案的分析和BU-VLR方案的设计，主要有以下几个方面： 1. 2007年IEEE Transactions on Vehicular Technology上的一个方案，建立在2004年Boneh等在 CRYPTO的群签名方案。本论文指出，方案使得同一成员的签名具有关联性，导致在VLR安全模型下方案不具有匿名性。 2. 分析的另外两个群签名方案，都是方案设计者在设计签名算法时由于设计不当，使得同一成员的签名具有关联性，从而导致方案在相应的安全模型下不具有匿名性。 3. 对一种基于身份的群签名方案，有文献曾对该签名方案做过分析，在本论文将给出另外一种方法来证明方案不具有匿名性。 4. 分析指出了一种新型群签名方案，其本身是建立在一个错误的签名方案之上，因而该方案不过是空中楼阁。此外，方案还存在其他缺陷。 5.构造了一个BU-VLR群签名方案，具有较短的签名长度和较低的运算量。利用k叉树扩展了方案以减少RL的数据量。最后，对2007年IEICE中一个BU-VLR方案加以改进，签名长度为原来的77.8%，运算量不变。 6.设计的第二个方案，针对现有BU-VLR方案中存在的缺陷，使得到的方案公钥长度不再与成员个数相关；撤销上的数据不再随着时间段的更新而更新，而只是在列表需要更新的时间段更新。 7.在q-SDH假设和困难性假设较强的XDH假设下，构造了一个BU-VLR群签名方案，性能上优于目前最高效的VLR方案，即BS04方案。

Shubnikov de Haas oscillations of a two-dimensional electron gas in a modulation-doped Zn0.80Cd0.20Se/ZnS0.06Se0.94 single quantum well

The magnetotransport properties of the two-dimensional (2D) electron gas confined in a modulation-doped Zn0.80Cd0.20Se/ZnS0.06Se0.94 single quantum well structure were studied at temperatures down to 0.35 K in magnetic fields up to 7.5 T. Well resolved 2D Shubnikovde Haas (SdH) oscillations were observed, although the conductivity of the sample in the as grown state was dominated by a bulk parallel conduction layer. After removing most of the parallel conduction layer by wet chemical etching the amplitude and number of SdH oscillations increased. From the temperature dependence of the amplitude the effective mass of the electrons was estimated as 0.17 m(0). Copyright (C) 1996 Published by Elsevier Science Ltd

基于STM-64的甚短距离并行光传输系统

研究了STM-64数据帧的转换映射技术,利用垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵光源和PIN列阵探测器成功研制出10 Gb/s的甚短距离12信道SDH并行光传输系统,该系统结构紧凑,具有检错和纠错功能。跟传统的10 Gb/s串行光传输系统相比,本系统降低了对单路器件传输性能的要求。经SDH传输测试仪测试,系统能实现无误传输。

不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10-35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20 nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.

双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.

InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

研究了Si重δ掺杂In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能△_0和自旋轨道耦合常数a两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas-SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.

光通信用10Gbit／s Transponder的设计

本文分析了在高速光模块设计中介质损耗和微带结构对信号的影响，并对PCB中信号串扰模型的参数进行了计算．解决了高速光模块设计的一些关键问题，设计出满足MSA的300-pin transponder，并对模块进行了一系列性能和指标测试．测试结果表明，该模块完全满足SDH／SONET（STM-64／OC-192）以及10G Ethemet应用要求．

基于LiNbO_3调制器的40GHz宽带调制光源的设计

介绍了基于LiNbO_3 电光强度调制器的40GHz宽带调制光源的设计.对其中的关键技术,如直流激光器稳态工作、调制器输出功率稳定性、频率响应预失真补偿以及整体设计等逐一加以分析,并提出解决方案.成功实现了基于LiNbO_3 电光强度调制器的宽带调制光源,并对该高速光源进行了一系列性能和指标测试.光源的频率响应3dB带宽达到40GHz,可用于40GHz频率范围内光电子器件频率响应特性测试,同时也满足SDH/SONET传输实验要求.

单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

研究了双子带占据的In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡效应和霍耳效应，获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置．低磁感应强度（B〈1．5T）下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致．在d^2ρ／dB^2-1／B的快速傅里叶变换谱中，观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频（2f1）外，还观察到对温度不敏感的频率f1-f2．这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量，两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射．

维生素C二步混菌发酵中伴生菌作用机制的研究

该文对维生素C“二步发酵法”第二步混合发酵中伴生菌对产酸菌——氧化葡萄糖酸杆菌作用机制进行了研究.除巨大芽孢杆菌外，还选用另外几种芽孢杆菌及酵母菌作为产酸菌的伴生菌.各伴生菌及其胞外液对产酸菌生长和2-酮基-L-古龙酸合成能力均有刺激作用，表明产酸菌的伴生菌具有广谱性.利用膜超滤浓缩、柱层析及电泳等技术，从伴生菌B2980胞外液中分离纯化出达电泳均一纯的高纯度活性蛋白质样品，并对其部分基本特性进行分析.结果表明：该活性物质是分子量为36300道尔顿，等电点为4.75的酸性蛋白质，并且是由一个亚基构成的单体蛋白.活性蛋白质的结晶呈规则的菱形形状，其水溶液显著提高产酸菌中SDH酶活性.试验中依伴生菌胞外液对产酸菌中SDH酶活性的作用，建立了该研究中目标活性物质的快速检测方法.

维生素C二步发酵中L-山梨糖脱氢酶的性质及作用

从氧化葡萄糖酸杆菌细胞质中分离纯化出L 山梨糖脱氢酶 (SDH) ,其分子量为 46× 10 3 ,表观分子量为 190× 10 3 ;在测试范围内 ,最适pH是 7.4,温度为 5 5℃ ,最稳定的 pH是 7.0 ,温度为 30℃以下 ;FeCl3 促进酶活 ,CoCl2 抑制酶活 .该酶活力与发酵产物 2 酮基 L 古龙酸的合成呈正相关 ;伴生菌促进产酸菌生长和代谢 ,并使该酶比活力增加 ,从而提高发酵系统中该酶的总活力 .图 11表 5参 9