MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件

讨论了采了MOCVD技术生长的平面型InGaAs／InP PIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜, 提高了器件的量子效率, 达到～90％, 采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。图3参5

InGaAs/InP体材料和量了阱、超晶格材料的低压MOCVD生长及材料特性的测试分析

于2010-11-23批量导入

InGaAsP/InP PBH 双区共腔双稳激光器的H＋轰击掩膜研究

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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

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低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

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不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究

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等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响

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InGaAsP/InP CCTS双态激光器的纵模及偏振特性

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