黄土高原不同道路的水沙响应模拟试验研究

基于降雨径流侵蚀产沙的水动力学原理和相似论所建立的比尺模型理论和技术,以黄土高原延安燕沟康家圪崂小流域为原型建立模型,在验证试验的基础上,针对不同类型道路对小流域的产流产沙影响进行模拟试验。通过分析,得出如下主要结论:水泥路、土路和浮尘土路对流域径流有一定的调控作用,水泥道路产流量较大,因此小流域修建水泥道路必须考虑道路径流收集,否则将会产生比土路更大的侵蚀量;调控工程对修建道路的小流域径流侵蚀产沙影响较大,同一种道路,治理前后的水沙效应具有明显差异。结果表明,小流域在进行治理时,需要加强规划,优化不同治理措施,进行山水园林路优化配置。

有机化合物结构自动解析专家系统研究

本文建立了一个能用于含N、P、O、S、Si及卤素等多种杂原子的有机化合物结构自动解析专家系统ESESOC(Expert System for the Elucidation of the Structure of Orsanic Compounds)。它可从未知化合物的分子式、光谱数据(包括IR, MS，~1HNMK ~(13)CNMR, 2D-NMR等)及其它化学信息自动地推衍出与己知信息相一致的候选化合物结构。ESESOC系统由三个部分组成：(1)光谱知识库及其光谱解释模块；(2)结构产生器；(3)结构验证模块。其结构解析基本过程为：从分子式、光谱数据或其它化学信息出发，由未知化合物的光谱数据去检索光谱知识库，即进行数据分析并推断出该未知化合物中可能含有的结构碎片，然后由结构产生器从这些结构碎片进行候选化合物结构的穷举生成，最后对候选结构进行验证并输出结果。从而实现由化合物光谱数据鉴别未知化合物结构的自动化。结构产生器是系统的核心模块。对一个结构产生器的基本要求是：穷举性，非冗余性，有效性。要完成一个能实际使用的结构产生器，效率则是至关重要的。ESESOC系统生成结果的穷举和非冗余性己通过与图论计算结果及著名的DENDRAL系统的生成结果相比较得以证明。如由本系统生成的烷烃系列C_nH_(2n+2)，及醇、醚系列C_nH_(2n+2)0的异构体数目与图论理论计算的数目相同；对C_5H_n n = 12，10，8，6，4，2，O；C_6H_n n = 14，12，lO，8，6，4，2，O系列，及含多种杂原子(O、N、S等)的复杂体系，其异构体生成结果则与DENDRAL系统的生成结果完全一致(DENDRAL系统的结构生成算法是经数学证明了是正确的，其结果已被很多系统引为穷举和非冗余性的例证)。关于ESESOC系统的有效性，在同一计算机上测试结果表明ESESOC系统的结构生成效率比著名的日本的CHEMICS系统高很多倍。结构解析专家系统另一重要组成部分为谱图知识库，它是逻辑推理的基础。专家系统的效能取决于其子结构一子光谱相关的知识库的有效性，所以要建造一个有效的~(13)CNMR知识库，关键在于建立一个好的子结构模型．在~(13)CNMR知识库中，子结构的概念与常规的子结构概念有所不同，它包括两个组成部分，(1)中心原子，它对应于一个化学位移；(2)环境部分，结构环境决定了中心原子的化学位移峰的位置。子结构模型的选择要适当兼顾信息全面和防止“组合爆炸”两个因素。ESESOC系统从~(13)CNMR本身的特征出发，提出了不确定层数的子结构模型。即以共振碳原子为中心，以与之相连的完整的官能团为外围环境，对这样的子结构，其外围环境根据官能团的不同可以是一层、或二层乃至多层，即环境层数是可变的。此即为ESESOC系统的广义-层子结构模型，它具有包含结构信息全，所有可能存在的子结构数量适中等优点。在此子结构模型的基础上，从CIAC-~(13)CNMR谱图数据库统计出。~(13)CNMR知识库，即子结构-~(13)CNMR化学位移相关表。ESESOC系统中结构验证方法有： ~(13)CNMR谱峰数预测，~(13)CNMR波谱模拟，应力能计算等。在结构解析专家系统研究中还涉及到如下三个问题：(1)结构编码；(2)结构之间相互比较；(3)结构中原子的对称性分析。在本研究中，对这些问题都提出了新的方案，并均获得较好结果。(1)在建造化合物结构信息系统时，首先要解决化合物结构的计算描述，即结构编码问题，以进行化合物结构的计算机存储和管理。为此我们提出了两种新的拓扑指数编码方案，即ID指数和EAID指数。由ESESOC结构产生器穷生成了含1-22个碳原子的380多万个链烷烃异构体，含1-12四价碳原子的20多万仑复杂多环异构体及40多万个含杂原子的化合物，通过对这3个系列共440多万个化合物结构的验证，结果表明，ID和EAID指数对这440多万个化合物结构均能唯一地区分，即没有出现简并(简并是指两个或多个不同的结构具有相同的拓扑指数值)。这是迄今未见报道的。(2)在计算机结构信息处理中，最常遇到的一个问题就是确认一个结构是新结构还是为已知结构，这就要把该结构与库中的结构进行逐个比较。为了结构的比较，我们以二维连接表描述化合物的结构，因连接表随化合中原子的编序的变化而变化，因而就需要有一套序号赋值规则，无论结构图在画法或形状以及原子的序号上如何变化，都可使得结构图中的各原子按该规则得到唯一的排序方案。ESESOC系统的唯一性序号方案集中了Morgan算法及其改进方案之所长，并加入新的图的不变量，如最小环指数等以正确地划分分子中的原子，从而得到一个新的唯一性排序方案，该方案效率较高，可适用于各类复杂化合物。在ESESOC系统中，我们还以一维的整数数组来存贮和管理二维连接表，即得到压缩连接表，这在结构比较时大大地节省了系统开销，提高了比较速度。在同一结构中，若各原子由两种不同编序方案得到同一连接矩阵，则与某一序号所对应的两个原子所在结构图中的拓扑环境是等价的，也就是说两个节点是拓扑等价的，或具有拓扑对称性(Topological Symmetry)。化合物结构中原子的唯一性排序算法，有机化物结构异构体穷举生成过程中冗余对接的消除，NMR谱模拟等都与拓扑对称性密切相关。在ESESOC系统建造过程中，我们提出了三个新的拓扑等价性分析算法，它们是基于节点矩阵的拓扑等价性算法，基于全通道算法的拓扑等价性算法，以及基于扩展连接矩阵算法的拓扑等价性算法。这些算法结果准确，效率高，适用于各类化合物。

The Influence of Age and Sex on the Cell Counts of Peripheral Blood Leukocyte Subpopulations in Chinese Rhesus Macaques

therapeutic drugs, vaccines and mechanisms of human diseases. Little is known about the normal levels of leukocyte subpopulations of Chinese rhesus macaques. To obtain these data, 100 blood samples from Chinese rhesus macaques were collected. The normal range of major leukocyte subpopulations, such as T lymphocytes, B lymphocytes, monocytes, myeloid dendritic cells (mDCs) and plasmacytoid dendritic cells (pDCs), were quantitatively analyzed by flow cytometry through BD trucount tubes. The influence of age and sex on the cell counts of leukocyte subpopulations was analyzed. The counts of CD3+ T cells, CD3+CD4+ T cells, CD3+CD8+ T cells and B cells decreased with age, but those of monocytes, mDCs and pDCs had no significant correlation with age. Significant differences existed in the cell counts of most leukocyte subpopulations between the male and female groups except pDCs. Furthermore the values of the females were higher than those of the males. The study provided basic information about the leukocyte subpopulations of Chinese rhesus macaques, and it may be valuable for immunobiological study of Chinese rhesus macaques. Cellular & Molecular Immunology. 2009;6(6):433-440.

生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。

高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟

介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性.设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8x10~(-9)s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想.采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结.

自组织量子点各向异性弹性应变场的数值分析

用数值方法计算了量子点的各向异性弹性应变场,得到了对应不同各向异性度的量子点弹性应变场的分布云图和沿量子点对称轴横向、纵向应变、静水应变和双轴应变变化曲线图,讨论了各向异性弹性应变场对量子点超晶格生长时的垂直相关性和量子点电子结构的影响.

时变容错域的感知联想记忆模型及其实现算法

提出并用软件实现了一种时变容错域的感知联想记忆模型．该模型有以下特点

GaN非线性光学效应研究进展

本文简述了对非线性光学材料的一般要求，详细介绍了GaN材料的极化效应，以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。

X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD

The growth,fabrication,and characterization of 0.2μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs,with a high mobility GaN thin layer as a channel,grown on (0001) sapphire substrates by MOCVD,are described.The unintentionally doped 2.5μm thick GaN epilayers grown with the same conditions as the GaN channel have a room temperature electron mobility of 741cm2/(V·s) at an electron concentration of 1.52×1016 cm-3.The resistivity of the thick GaN buffer layer is greater than 108Ω·cm at room temperature.The 50mm HEMT wafers grown on sapphire substrates show an average sheet resistance of 440.9Ω/□ with uniformity better than 96%.Devices of 0.2μm×40μm gate periphery exhibit a maximum extrinsic transconductance of 250mS/mm and a current gain cutoff frequency of77GHz.The AlGaN/GaN HEMTs with 0.8mm gate width display a total output power of 1.78W (2.23W/mm) and a linear gain of 13.3dB at 8GHz.The power devices also show a saturated current density as high as 1.07A/mm at a gate bias of 0.5V.

高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制

报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片，采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀，制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi)，然后将试验片解理成Bar；为获得高的单面输出功率，用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜，HR=90%，AR=5%；解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上，TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上，饱和电流3 A以上，峰值波长1430 nm，远场发散角为40°×14°。

等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.……

注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究

采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤（catastrophic optical damage，COD）阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行氦离子注入，由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入，因此减少了非辐射复合的发生，提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到440.5mW，没有发生COD现象。而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为407.5mW。同常规工艺相比，应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了8％。

硅片接触表面的弹性形变范围

国家973计划,国家自然科学基金

D-木糖异构酶基因亚克隆及其序列分析

我们大肠杆菌K12的D-木糖操纵子中克隆了D-木糖异构酶基因，并以Bal31缩短DNA方法，获得了彼此相差约200bp的亚克隆。而后，用质粒系统直接测定了这些亚克隆片段的基因序列，并进一步得出含有D-木糖异构酶基因的1620bp全序列。序列结果表明，其结构基因长为1320bp，编码着由440个氨基酸组成的蛋白，与Lawlis和Schellerberg发表的D-木糖异构酶基因序列相比，同源性达99.8%。