生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响
| Data(s) |
2008
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|---|---|
| Resumo |
采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。 国家自然科学基金资助项目（6 6 7 16.6 6254 5） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郭杰;孙维国;陈慧娟;彭震宇;鲁正雄;郝瑞亭;周志强;许应强;牛智川.生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响,功能材料,2008,39(10):1605-1607 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
