等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.…… 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.…… 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4646.pdf: 383878 bytes, checksum: 29d58f933f9ad5d2dea3b87cad0ab508 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所;清华大学物理系 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
曾湘波;廖显伯;王博;刁宏伟;戴松涛;向贤碧;常秀兰;徐艳月;胡志华;郝会颖;孔光临.等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼,物理学报,2004,53(12):4410-4413 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
