34 resultados para EL2


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Portal de recursos para la enseñanza y aprendizaje del español para el alumnado inmigrante. Su principal objetivo es ofrecer una reflexión teórica ligada a la práctica, promoviendo el conocimiento, la crítica, el análisis y la ejemplificación de soluciones aportadas por especialistas y autores de materiales en los ámbitos de interculturalidad y enseñanza-aprendizaje de español. Se publican reflexiones teóricas, unidades didácticas y propuestas de explotación de recursos que aplican el método didáctico del enfoque para la enseñanza-aprendizaje de una segunda lengua.

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Memoria de máster (Universidad Antonio de Nebrija, 2008). Resumen basado en el de la publicación

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Título del encuentro: 'Hispanoamérica en el aula de ELE', organizado por el Instituto Cervantes de Nápoles

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Memoria de máster (UNED, 2010). Resumen basado en el de la publicación

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Experimental results have shown the fact that the deep-level centers in semi-insulating GaAs decrease with the improvement in stoichiometry. The electrical resistivity doubles when the concentration of EL2 centers decreases to a half. The microgravity-growth experiments also show that improved crystal stoichiometry results in a decrease of deep-level centers. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0021-8979(98)04921-4].

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The dynamic process of light illumination of GaAs is studied numerically in this paper to understand the photoquenching characteristics of the material. This peculiar behavior of GaAs is usally ascribed to the existence of EL2 states and their photodriven metastable states. To understand the conductivity quenching, we have introduced nonlinear terms describing the recombination of the nonequilibrium free electrons and holes into the calculation. Though some photoquenching such as photocapacitance, infrared absorption, and electron-paramagnetic-resonance quenching can be explained qualitatively by only considering the internal transfer between the EL2 state and its metastability, it is essential to take the recombination into consideration for a clear understanding of the photoquenching process. The numerical results and approximate analytical approach are presented in this paper for the first time to our knowledge. The calculation gives quite a reasonable explanation for n-type semiconducting GaAs to have infrared absorption quenching while lacking photoconductance quenching. Also, the calculation results have allowed us to interpret the enhanced photoconductance phenomenon following the conductance quenching in typical semi-insulating GaAs and have shown the expected thermal recovery temperature of about 120 K. The numerical results are in agreement with the reported experiments and have diminished some ambiguities in previous works.

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Metalorganic vapor-phase epitaxial growth of GaAs doped with isovalent Sb is reported. By increasing the trimethylantimony concentration during growth the total Sb concentration was varied between 1 X 10(17)-1 X 10(19) cm-3. A new deep level defect with an activation energy of the thermal emission rates of E(c) - 0.54 eV is observed. The defect concentration increases with increasing As partial pressure and with increasing Sb doping. It is also found that the EL2 concentration decreases with increasing Sb doping. The new energy level is suggested to be the 0/ + transition of the Sb(Ga) heteroantisite defect. No photocapacitance quenching effect, reflecting a metastable state as seen for EL2 (As(Ga)), is observed for Sb(Ga).

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GaAs epilayers grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using an ultrathin a-Si buffer layer were characterized by deep-level transient spectroscopy (DLTS). Six electron traps with activation energies of 0.79, 0.67, 0.61, 0.55, 0.53 and 0.32 eV below the conduction band were determined by fitting the experimental spectra. Two of the levels, C (0.61 eV) and F (0.32 eV), were first detected in GaAs epilayers on Si and identified as the metastable defects M3 and M4, respectively. In order to improve the quality of GaAs/Si epilayers, another GaAs layer was grown on the GaAs/Si epilayers grown using MOCVD. The deep levels in this regrown GaAs epilayer were also studied using DLTS. Only the EL2 level was found in the regrown GaAs epilayers. These results show that the quality of the GaAs epilayer was greatly improved by applying this growth process.

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垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.

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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级。测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获热垒分别为0.48eV和0.30eV。

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Con esta tesis se trata de conocer el estado y la actualidad de los contenidos socioculturales que forman parte del estudiante de español segunda lengua (el2)/español lengua extranjera (ele). También, se propone realizar un análisis de los contenidos culturales a los que tienen acceso los alumnos, a través de los Materiales Didácticos de Cultura y Civilización. Se pretende conocer las consideraciones, valoraciones y opiniones de profesores de ELE acerca de la competencia sociocultural y su tratamiento en el aula. También elaborar y experimentar una Unidad Didáctica con contenido sociocultural dentro del modelo que propone el Enfoque por Tareas, con el fin de verificar si este enfoque se adapta al desarrollo de esta competencia. La metodología aplicada en esta investigación es la definida como exploratoria, cuantitativa, interpretativa, y se utiliza a menudo en la lingüística aplicada, cuando se trata de realizar análisis de métodos y materiales. Este método de análisis se caracteriza por trabajar con datos cuantitativos y manejar, con frecuencia, plantillas de análisis, lo que hace posible realizar análisis interpretativos a partir de los datos obtenidos. Se pretende que permita hacer un análisis estadístico, conocer la selección de contenidos culturales, considerados relevantes por los autores de los Materiales de Cultura y Civilización (McCC) hispánicos, así como profundizar en el material propuesto y su presentación. Para esta investigación, se localizaron de una cantidad representativa de McCC publicados en España entre los años 1984 - 2004. La técnica utilizada para la toma de datos es el cuestionario, por ser una herramienta de investigación que permite el registro de información de una forma fiable y cuantitativa. Se realiza una plantilla - modelo de variables que, permita hacer análisis estadísticos y dote a la investigación de objetividad, al mismo tiempo que facilite el control y codificación de datos, por una parte; y la medición y cuantificación de resultados, por otra. El instrumento de análisis adoptado en esta investigación ha sido una plantilla de variables, elaborada en MICROSOFT OFFICE EXCEL 2003 y, se trata, de una herramienta de medida y evaluación, con el que se obtendrán datos que se analizarán, interpretarán y contrastarán. La plantilla se ha realizado en EXCEL con el fin de poder presentar, una vez concluido el análisis del tema investigado, gráficos que faciliten la visualización de las características de cada material, lo más ilustrativo posible. Se concluye que este trabajo de investigación estructura la teoría de lo sociocultural, analiza su presencia tanto en materiales, como en las clases y ofrece un modelo útil y práctico como herramienta para la enseñanza de contenidos socioculturales.

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Resumen basado en el de la publicación

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