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An LCAO scheme (linear combination of atomic orbitals) taking into account ten atomic orbitals (s-, p-, and d-type) is used to calculate the electronic structure of a vacancy present in the core of the reconstructed 90 degrees partial dislocation in silicon. The levels in the band gap are extracted using Lanczos' algorithm and a continued fraction representation of the local density of states. The three-fold degenerate stale of the ideal vacancy is split into three levels with energies 0.26, 1.1, and 1.9 eV measured from the valence band edge.
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采用有机/无机杂化溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了SiO_2光波导薄膜材料。采用甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(MAPTMS)作为反应先躯体,四丙氧基锆(ZPO)作为调节折射率的材料,正丙醇(n-propyl alcohol)为溶剂,利用旋涂方法在Si基片上成膜,采取低温长时间、高温短时间的热处理方式,制备出无龟裂薄膜。分别采用棱镜耦合仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同溶剂量和不同ZPO量情况下,薄膜的折射率、厚度以及表面形貌变化情况。研究结果表明
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介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。
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Stable continuous-wave passive mode-locking of diode-end-pumped Nd:GdVO4 and Nd:YAG lasers withsemiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) are reported. The comparative study shows that theNd:GdVO4 crystal is efficient to decrease the Q-switched mode-locking tendency, and easier to continuous-wave (CW) mode lock than Nd:YAG.
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用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。
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利用分子束外延技术,生长了30周期的InGaAs/GaAs量子点超晶格。透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准。红外吸收测试观察到明显的垂直入射红外吸收,吸收范围在8.5 μm~10.4 μm之间,峰值波长为9.9 μm,第一次实现了响应8 μm~12 μm大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收,这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。
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对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理,研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围,使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高,PL谱线发生兰移,发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。
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为了测量某固体火箭发动机尾流粒子参数,设计了基于激光衰减法的实验系统,并在发动机试车中采取了消除尾流辐射干扰的措施.将实验结果与参考文献的激光衰减法测量结果进行了比较,结果一致,表明所获得光强衰减信号和测量结果是可信的.在发动机燃烧室压强为9.5 MPa时,利用激光衰减方法测量喷管出口的粒子尺度d32=0.9μm,实验数据误差为20%