InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收
| Data(s) |
1998
|
|---|---|
| Resumo |
利用分子束外延技术,生长了30周期的InGaAs/GaAs量子点超晶格。透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准。红外吸收测试观察到明显的垂直入射红外吸收,吸收范围在8.5 μm～10.4 μm之间,峰值波长为9.9 μm,第一次实现了响应8 μm～12 μm大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收,这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。 中科院半导体所所长基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
庄乾东;李晋闽;曾一平;潘量;孔梅影;林兰英.InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收,红外与毫米波学报,1998,17(6):477 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
