GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结，通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0．5分子层Si夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。 用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结，通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0．5分子层Si夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:50导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4839.pdf: 179013 bytes, checksum: c48a397b39a4f3793fe9d85a9aa03550 (MD5) Previous issue date: 2002 教育部高等学校骨干教师资助计划项目 北京师范大学物理学系;中科院半导体所;北京师范大学分析测试中心 教育部高等学校骨干教师资助计划项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李永平;田强;牛智川;杨锡震;吴正龙;王亚非.GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究,北京师范大学学报. 自然科学版,2002,38(4):474-477 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
