新鳋属两个种的分化在超微结构上的表达

以寄生桡足类鳋科的二种新鳋:日本新鳋和长刺新鳋为材料作了扫描电镜观 察, 发现游泳足 上的细微结构以及胸板的形态在种间很不相同, 这些形态上的 变化, 对两个种来说是分化, 对整个生物界来说, 就是生物多样性的表达。标本 模式存作者单位。图版1参2

Characterization of a new bradykinin-potentiating peptide (TmF) from Trimeresurus mucrosquamatus

A novel bradykinin-potentiating peptide (BPP), designated as TmF, has been purified to homogeneity from the venom of Trimeresurus mucrosquamatus by 70% cold methanol extraction, Sephadex G-15 gel filtration and reverse-phase high performance liquid chromatography (RP-HPLC). The amino acid sequence of TmF was determined to be pGlu-Gly-Arg-Pro-Leu-Gly-Pro-Pro-Ile-Pro-Pro (pGlu denotes pyroglutamic acid), which shared high homology with other BPPs. The molecular mass of TmF was 1.1107 kD as determinated by electrospray ionization-mass spectrometry (ESI-MS), which was in accordance with the calculated value of 1.1106 kD. The potentiating "unit" of TmF to bradykinin-induced (BK-induced) contraction on the guinea-pig ileum in vitro was (1.13 +/- 0.3) unit (mg/L), and TmF (5.0 x 10(-4) mg/kg) increased the pressure-lowering-effect of bradykinin (5.0 x 10(-5) mg/kg) with approximate descent value of (14 +/- 2) mmHg. In addition, TmF inhibited the conversion of angiotensin I to angiotensin 11, 2 x 10(-3) mg of TmF caused 50% inhibition (IC50) of angiotensin-converting enzyme (ACE) hydrolyzing activity to bradykinin.

温度对近亲裸腹溞发育、生长和卵的生产量的影响

近亲裸腹溞(Moina affinis)的胚胎发育和总生活时间与温度呈反比。其后各龄期的生长、卵的生产量与温度的变化密切相关。30℃时,总胚胎发育时间为18—20小时,平均龄期为25.1小时,总生活时间为15.7天;20℃时,总胚胎发育时间为42—48小时,平均龄期为53.2小时,总生活时间为33.3天。在30℃时,有2个成体前龄,13个成龄;而在20℃时,有3个成体前龄,12个成龄。不论30℃或20℃,幼龄的龄期短于成龄龄期。近亲裸腹溞各个不同龄期的生长也因温度而变化。30℃时,10龄之前,以1、2龄的

Optical transitions in cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition on GaAs (100) substrate

Photoluminescence measurements have been performed on cubic GaN films with carrier concentration as low as 3 x 10(13) cm(-3). From the temperature and excitation intensity dependence, the emission lines at 3.268, 3.150 and 3.081 eV were assigned to the excitonic, donor-acceptor pair, and free-to-acceptor transitions, respectively Additionally, we observed two additional emission lines at 2.926 and 2.821 eV, and suggested that they belong to donor-acceptor pair transitions. Furthermore, from the temperature dependence of integral intensities, we confirmed that three donor-acceptor pair transitions (3.150, 2.926, and 2.821 eV) are from a common shallow donor to three different accepters. The excitonic emission at 3.216 eV has a full-width-at-half-maximum value of 41 meV at room temperature, which indicates a good optical quality of our sample.

Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions

We report experiments on high de current stressing in commercial III-V nitride based heterojunction light-emitting diodes. Stressing currents ranging from 100 mA to 200 mA were used. Degradations in the device properties were investigated through detailed studies of the current-voltage (I-V) characteristics, electroluminescence, deep-level transient Fourier spectroscopy and flicker noise. Our experimental data demonstrated significant distortions in the I-V characteristics subsequent to electrical stressing. The room temperature electro-luminescence of the devices exhibited a 25% decrement in the peak emission intensity. Concentration of the deep-levels was examined by deep-level transient Fourier spectroscopy, which indicated an increase in the density of deep-traps from 2.7 x 10(13) cm(-3) to 4.2 x 10(13) cm(-3) at E-1 = E-C - 1.1 eV. The result is consistent with our study of 1/f noise, which exhibited up to three orders of magnitude increase in the voltage noise power spectra. These traps are typically located at energy levels beyond the range that can be characterized by conventional techniques including DLTS. The two experiments, therefore, provide a more complete picture of trap generation due to high dc current stressing.

Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition

We present some results on the effect of initial buffer layer on the crystalline quality of Cubic GaN epitaxial layers grown on GaAs(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition. Photoluminescence and Hall measurements were performed to characterize the electrical and optical properties of cubic GaN. The crystalline quality subsequently grown high-temperature (HT) cubic GaN layers strongly depended on thermal effects during the temperature ramping process after low temperature (LT) growth of the buffer layers. Atomic force microscope (AFM) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED) were employed to investigate this temperature ramping process. Furthermore, the role of thermal treatment during the temperature ramping process was identified. Using the optimum buffer layer, the full width at half maxim (FWHM) at room temperature photoluminescence 5.6 nm was achieved. To our knowledge, this is the best FWHM value for cubic GaN to date. The background carrier concentration was as low as 3 x 10(13) cm(-3). (C) 2000 Published by Elsevier Science S.A. All rights reserved.

Characterization of hot-electron effects on flicker noise in III-V nitride based heterojunctions

We report experiments on hot-electron stressing in commercial III-V nitride based heterojunction fight-emitting diodes. Stressing currents ranging from 100 mA to 200 mA were used. Degradations in the device properties were investigated through detailed studies of the I-V characteristics, electroluminescence, Deep-Level Transient Fourier Spectroscopy and flicker noise. Our experimental data demonstrated significant distortions in the I-V characteristics. The room temperature electroluminescence of the devices exhibited 25% decrement in the peak emission intensity. Concentration of the deep-levels was examined by measuring the Deep-Level Transient Fourier Spectroscopy, which indicated an increase in the density of deep-traps from 2.7 x 10(13) cm(-3) to 4.21 x 10(13) cm(-3) at E-1 = E-C - 1.1eV. The result is consistent with our study of 1/f noise, which exhibited up to three orders of magnitude increase in the voltage noise power spectra. Our experiments show large increase in both the interface traps and deep-levels resulted from hot-carrier stressing.

园二色谱电化学及其在结构生物电化学研究中的应用

将生物电化学与目前生物学的主流学科一结构生物学相结合，形成了结构生物电化学，以研究生物大分子在电化学过程中的结构变化规律及其对其电化学活性，生物活性和生理功能的影响．将园二色谱与电化学技术相结合称为园二色谱电化学，是结构生物电化学研究中的重要工具之一，它不仅为结构生物学研究提供了新的途径，而且为生物电化学开辟了新的研究领域．本论文在结构生物电化学的这一新概念基础上，建立了园二色谱电化学方法研究结构生物电化学的实验方法，数据处理和理论分析方法，并开展了多种生物大分子的结构-电化学研究．主要完成的工作如下：在基础理论与方法方面：1．建立和完善不可逆体系中薄层光谱电化学数据处理的双对数方法，用于区别简单电化学过程的E，EC和髓机理，电非活性产物吸附的自封闭，自阻碍和自加速机理；与非线性回归相结合，从有限实验数据中最多可获得7个电化学过程的热力学和动力学参数；并应用于中性和碱性条件下去甲肾上腺素，乙醇溶液中维生素D2前体，碱性溶液中酪氨酸，中性溶液中抗坏血酸的电化学反应机理的CD谱电化学研究；2．建立了奇异值分解最小二乘方法，用于解析动态光谱数据，不仅能给出组份数，各组份的光谱，而且同时给出各组份分数的分布，并应用于去甲肾上腺素在电化学氧化还原过程中的CD谱的解析和机理研究；3．提出了微区近似概念，与显示差分方法相结合，建立了微区近似显示差分的数值模拟方法．应用于薄层电化学池中三维的铂网电极体系的电化学和光谱电化学行为的模拟，获得与实验值一致的结果，并对薄层厚度，网眼尺度对薄层行为的影响进行了模拟研究；4．以分子力学与半经验分子轨道方法相结合，研究吲哚酚衍生物的分子结构参数与其式电位之间的定量关系，预测衍生物的式电位，推测电化学反应的气态分子结构机理；在结构生物电化学研究方面：5．在结构生物电化学这一新概念基础上，建立了以CD谱电化学研究结构生物电化学的实验方法，与基础理论研究的结果相结合，进行生物大分子结构．电化学研究：6．在牛血清白蛋白的结构．电化学研究中发现：(1)正电场诱导SA二级结构变化，存在三种构象转化：α螺旋→反平行β折叠；β转角→平行β折叠；平行β折叠→反平行β折叠；(2)负电场诱导BSA二级结构的变化存在β折叠→α螺旋的构象转化；(3)负电场和BSA的电化学还原诱导BSA中双硫键构象的左手旋→右手旋转化；证明了天然BSA中17个双硫键近似有1／2为左手旋；(4)研究了BSA中双硫键的电化学还原为EC机理和参数；7．在DNA的结构-电化学研究中发现：(1)负电场诱导DNA的B_(10.4)→Z_(l0.2)结构变化；(2)DNA电化学还原诱导B_(10.2)→B_(lO.4)和B_(10.2)→C 结构变化; (3)B_(10.4), B_(10.2)和C型DNA可能是由B_(10.4)，右手-A和左手-A型DNA的不同组份的共存而形成的；(4)获得DNA电化学还原过程的参数；8．在血红蛋白的结构一电化学研究中发现：(1)电化学还原诱导血红蛋白的T→R构型转化，手性转化的伞翻转效应；(2)电场诱导血红蛋白的两种0c螺旋二级结构间的转化，属于电场诱导血红蛋白的部分变性；(3)获得血红蛋白电化学还原的包括R→T转换的EC机理和参数；9．在细胞色素c的结构-电化学研究中发现：(1)细胞色素c的二级和三级结构受电场和酪氨酸残基及血红素中Fe的电化学还原的影响，其中酪氨酸残基还原的影响较大；(2)细胞色素c的电化学还原没有发生构型转化现象；(3)细胞色素c参与二级结构变化的构象有α螺旋，平行β折叠，反平行β折叠和无规卷曲；各组份随电位的变化复杂；(4)获得细胞色素c电化学还原的机理和参数；10．肌红蛋白的结构-电化学研究中发现：(1)电化学还原诱导了肌红蛋白的T→R构型转化伴随着cD谱的峰位移，但没有象血红蛋白那样明显伞翻转效应，表明伞翻转效应是多个亚基共同作用的结果；(2)获得肌红蛋白电化学还原的EC机理，并伴随产物吸附的自阻碍过程及其参数．

镧系氨基酸配合物在生理pH条件下的结构特性及其对DNA的特异性识别

DNA是重要的生物大分子，也是主要的抗癌药物靶分子。小分子与DNA之间的相互作用是以DNA为靶分子的各种物质生物效应的基础，它们之间的特异性结合导致了癌变、突变及细胞的死亡。能够与DNA特异性结合的小分子很多都是临床上广泛应用的抗癌药物。因此，小分子与DNA之间的相互作用不论是对阐述抗癌、抗病毒药物的作用，还是对致癌机理的研究，尤其对抗癌药物的体内筛选都有重要意义。近十年来，开发新型的抗癌药物小分子，使它们具有对DNA序列特异性的识别能力己成为国内外研究的热点。斓系配合物由于具有广泛的光学、磁学和电学等特性使得有可能成为新的DNA特异性识别分子。然而，斓系离子在中性条件下极其容易水解的特性又极大的阻碍了斓系配合物对于DNA的识别性研究。本文在中性条件下合成了铜系氨基酸配合物，并成功的获得了这些配合物的晶体结构，利用这些有确定结构的I系氨基酸配合物与特定的DNA序列相作用，通过多种生物物理方法研究了它们对DNA序列特异性识别。主要的结果如下：1．在近中性条件下，合成了Eu-Val（［Eus_8（L-HVal）_(16)（H_2O）_(32)］Cl_(24)·12.5H_2O），Eu-Asp（［Eu_4（μ3-OH）_4（L-Asp）_2（L-HAsp）_3（H_2O）_7］Cl·11.5H_2O）和Tb-Cys（「Th_2（DL-Cys）_4（H_2O）_8]Cl_2）三种铜系氨基酸配合物，这些配合物的结构由于合成条件（温度，反离子及合成比例）上的差异与已报到的类似配合物的结构具有明显的不同。三种配合物的结构各具特色，从而在与DNA作用时将表现出各自特有的识别性能。2．Eu-Val配合物在与单链DNA作用时，配合物能键合到DNA碱基所在的疏水区，在与富含dC和dT碱基的序列相结合时，发生显著的能量传递，从而极大的增强了配合物中Eu的发射光谱。配合物结合DNA的化学计量比随序列中dC含量的降低而降低。配合物同样能够与处于DNA疏水区的富含dA和dG序列相结合，这种结合不能够产生能量传递，但使得DNA的紫外-可见光谱出现明显的减色和红移现象。此外，这一配合物还能够诱导单链DNApoly（dA）及p01y（rA）产生自身的二级结构，形成双链结构。这为进一步认识斓系离子的生物学效应奠定了基础，斓系氨基酸配合物可以诱导单链poly（dA）及poly（rA）形成自身结构尚无文献报道。3．Eu一AsP配合物能够选择性的稳定非B一构象的Poly（dA）Poly（dT），而使B一构象的印oly（dAdT）］2和［Poly（dGdC）］2变得不稳定。如在1：2比例时，该配合物可使Poly（dA）Polv（dT）的融化温度提高4℃，而使印oly（dAdT）｝2的融化温度降低6℃，［Poly（dGdC）］2则出现了两个转变温度。进一步的圆二色实验结果充分表明Eu一Asp配合物对于富含Poly（dA）Poly（dT）和［Poly（dAdT）］2的双链DNA没有构象上的改变，而对于［Poly（dGdC）］2的双链DNA则产生了显著的构象上的改变，很有可能正是这一改变使得［Poly（dGdC）］2变得极其的不稳定。配合物对［Poly（dGdC）］2的这种不稳定影响随着配合物浓度的逐步升高而越来越明显。变温实验结果清楚的表明，在37℃时，Eu-AsP使[Poly（dGdC）JZ发生了构象转化，并且这种转化是可逆的。4．Tb-Cys配合物与单链（除了poly（dA））和双链DNA都能发生能量传递，从而使得配合物的荧光显著增强。不同的DNA表现出不同的增强效果，表明TbCys配合物对DNA的序列存在选择性，单链要强于双链，富含Poly（dAdG）的序列增强效果最好。单链和双链能量传递的差异表明了配合物能够区分DNA的单链和双链，配合物在与单链作用时结合更强。TbCys配合物在与DNA作用时存在不同的结合位点，而且单链和双链的结合位点明显不同。TbCys配合物能够引起富含dC和dT的单链DNA发生减色效应，而能够引起富含poly（dA）、poly（dAdG）的单链DNA和富含poly（dA）poly（dT）、[Poly（dAdT）］2和［poly（dGdC）］2的双链DNA发生明显的红移。此外，这一配合物同样能够影响双链DNA的稳定性，使得富含poly（dA）Poly（dT）序列变得稳定，而使得富含印oly（dAdT）］2和富含印oly（dGdC）］2的序列变得不稳定。这些结果都表明了配合物对DNA存在选择性。比较不同配合物的差别后能够发现DNA对于不同的配合物同样具有选II择性，这种选择性能够用来区分配合物。一这些钢系氨基酸配合物由于选择了天然的氨基酸作为配体，从而大大的降低了对人体的毒性，进一步表现出的对不同的DNA序列的选择型则使其有望成为新型的抗癌诊疗试剂。

PMMA/SAN共混物薄膜表面相分离动力学的原位AFM研究

本论文主要借助原子力显微镜（AFM）、X-射线光电子能谱（XPS）等实验手段，纳米尺度上在线原位地研究了高温临界组成PMMMA/SAN（50／50，w／w）共混薄膜体系，分析并探讨了此共混薄膜表面相分离及其超薄膜体系的润湿／去润湿和相分离行为。首先，从敲击式AFM中相位图的成像原理出发，建立了一个高温下用原位AFM定性鉴别不同聚合物的纳米尺寸微区的方法，即：先在基底（硅）上铺展一层非常平坦的单一组分（SAN）薄膜，再在此千膜上，通过旋涂由选择性溶剂（冰醋酸）配制的另一组分（PMMA）的极稀溶液，使之不能形成一层连续的完整膜，最后在高温（175℃）下用敲击模式的原子力显微镜（TM-AFM）检测相位图随退火时间的变化。得到在175℃的相位图中，PMMA富相比SAN的富相显得更暗，这为后续工作提供了定性鉴别相区的方法。其次，高温下用原位AFM研究了PMMA/SAN薄膜表面相分离过程，在线观察了相分离的归并过程，定量地得到了临界相分离温度，并给出了特征波矢对时间依赖关系的标度指数，划分了相分离动力学演变的不同阶段。对于膜厚约为130nm的体系，表面相分离的临界温度大约为165℃，其表面相分离的特征波矢与时间的标度关系q+（t）-t-n，在整个实验时间内，随时间的演变过程中，显示了两个不同的指数变化区，即前期很慢的n=0.13和后期的n＝1／3。0.13的指数关系可能是由于表面聚合物链的几何受限及表面富集相把部分新生成的另一相覆盖所致，1／3的指数关系可以认为是由普遍的Brownian扩散所致。而对于膜厚为50曲的此组成共混薄膜，得到的标度关系与C汕n线性理论吻合得非常好的Spinodal Deposition（SD）表面相分离的初期，即n＝0，这是由于降低膜厚 增加了共混物的相容性，提高了临界温度，从而减缓了相分离过程，使得在我 们观测的时间范围内更易观察到表面相分离的初期。再次，用阶梯式降温的好M和XPS，发现了PMMA/SAN体系原位和离位实验结果存在巨大差别的主要原因之一—润湿温度的存在。对PMMA/SAN（50／50，w／w，-130nm）共混薄膜体系，原位AFM的退火和准淬火实验表明， 虽然在高温和室温、真空和常态、原位和离位，相分离的聚合物共混薄膜表面 形貌变化不大，但是表面物理性质却有很大的区别。原位XPS实验表明，未经 任何处理的样品在185℃退火时，很快在离表面很薄的下面形成一层PMMA含 量远低于本体值的薄层，之后最表面的PMMA也往本体迁移，直至表面SAN 的含量远高于它的本体值。对已在175℃退火20hr的此样品，逐渐降温退火过 程的原位XPS表明，当退火温度降至145oC时，样品表面几乎完全被PMMA覆盖，很好地验证了Conlposto等提出的润湿温度的假设，即对此体系，润湿温 度是原位和离位存在巨大的差异的主要因素之一，这与原位AFM的实验结果也，存在很好的一致性。最后，高温下原位观察了硅基底上PMMA/SAN超薄膜（膜厚-Rg）的去润湿、相分离过程和PMMA在基底上的润湿过程，以及云母基底上的该体系高温下的稳定润湿行为。以硅为基底的PMM刀sAN共混超薄膜在155”c下发生了类 似sPinodal dewetting的去润湿，其原因可能是在垂直于基底的浓度梯度引起的表面组成的涨落，对这种去润湿的动力学还进行了探讨。以硅为基底的PMMA/SAN共混超薄膜在175℃下不仅发生了类似spinodal dewetting的去润 湿，而且还发生了去润湿液滴内部的相分离以及相分离析出的PMMA润湿硅基底的过程，提出了一个简单的模型描述了这种复杂的过程。此外，还研究了不同基底对此共混超薄膜体系的润湿行为进行了研究，以云母为基底的此共混体系在175℃下长时间内是稳定的，其原因可能是云母与PMMA和SAN均有很强的作用力，足于补偿聚合物链在构象嫡上的损失。

大气飘尘中痕量元素的火花源质谱法分析

本文提出了一种同时分析大气飘尘中30种痕量元素的定量方法。收集了3.6 ～ 13.5米~3的空气样品的飘法，用低温等离子体灰化30 ～ 60分钟，得到低于10毫克量级的灰分，用火花源质谱法分析，得到10 ～ 10~(-4)微克/米~3的灵敏度。由于采用单次曝光和分段曝光，并对每块干板进行校正，扣除叠加干扰线，得到10 ～25%的相对标准偏差。分析了吉林市七个采样点同时采集的样品，对分析结果进行初步讨论，可以看到这个方法可用于估计大气中痕量元素的富集程度，从而研究这些元素的迁移。

三氯化稀土的还原反应及产物的反应性能的研究

本文研究了NdCl_2·nTHF、SmCl_2·nTHF、YbCl_2·nTHF与环辛四烯在室温下的直接反应。发现NdCl_2·nTHF、SmCl_2·nTHF可以在室温下与C_8H_8直接反应，分别得到NdCl_3·nTHF、ClNdC_8H_8·2THF；SmCl_3·nTHF，ClSmC_8H_8·2THF。反应速度NdCl_2 > SmCl_2。YbCl_2·nTHF在室温下不与环辛四烯发生反应。产物LnCl_3·nTHF和ClLnC_8H_8·2THF (Ln = Nd, Sm)已得到水解色谱、质谱、元素分析、红外光谱等的证实。推测反应接下式进行：LnCl_2·nTHF + C_8H_8 → [THFCl_2LnC_8H_8LnCl_2THF] → LnCl_3·nTHF + ClLnC_8H_8·2THF我们近一步研究了NdCl_2·nTHF与K_2C_8H_8的交换反应。结果表明从这一体系中得不到二价钕的有机金属化合物，而是得到了KNd(C_8H_8)_2。首次研究了以2摩尔萘锂为还原剂还原无水三氯化钕的反应，得到了组成为NdClLin (n < 0.3)的还原产物。该产物不溶于四氢呋喃，对空气、水汽比NdCl_2更为敏感。推测钕主要以一价形式存在。还研究了萘钠与三氯化铽的还原反应。三氯化钕的还原产物不与LiCl 形成络合物，而三氯化铽的还原产物却与LiCl形成络全物而溶于THF。为了进一步了解三氯化钕还原产物的性质，研究了其与环辛四烯的反应，结果表明它们也可以在室温下直接反应，并且这一反应比NdCl_2与C_8H_8的反应快。从反应混合物中分出两种产物：ClNdC_8H_8·2THF和[LiNd(C_8H_8)_2·4THF]·2THF，并测定了这二种产物的晶体结构。ClNdC_8H_8·2THF的晶体结构表明它属于单斜晶系，P2_1/C空间群。晶胞参数为a = 11.819(3)A，b = 12.651(3)A，C = 13.478(3)A，β = 122.97(2)°。[LiNd(C_8H_8)_2·4THF的晶体结构表明它是单斜晶系，C_c空间群。晶胞参数：a = 17.858(7)A，b = 13.243(4)A，c = 18.085(6)A，β= 106.52(4)°。

活性氧自由基与嘧啶碱基及其核苷反应的ESP研究

本文以MNP（2-methyl-2-nitrosopropane）为捕捉剂，利用自旋捕捉技术和ESR方法，室温条件下，研究了活性氧自由基与嘧啶碱基及其核苷在水溶液中的反应。确定了所产生的自由基类别，讨论了自由基的形成机制。在本工作中，我们在下列三种体系中，研究了活性氧自由基与嘧啶碱基及其核苷的反应。1.核黄素（B_2）水溶液中，O_2~-与嘧啶碱基及其核苷的反应。2.H_2O_2水溶液中，OH与嘧啶碱基及其核苷的反应。3.γ射线辐照水溶液过程中，OH与嘧啶碱基及其核苷的反应。在核黄素（B_2）水溶液中，通过U.V.光辐照，我们得到了活性氧自由基与尿嘧啶、胞嘧啶、胞苷、脱氧胞苷、胸腺嘧啶、胸腺核苷反应所产生的自由基，及由这些自由基与MNP自旋加合物的ESR谱。确认了自由基Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ，Ⅴ，Ⅵ的存在。为了判别与嘧啶碱基或嘧啶核苷反应的活性氧自由基的种类，我们在下列三种条件下进行了测试：（1）加入适量DETAPAC（2）通N_2或Ar除O_2；（3）加入H_2O_2酶，均未得到ESR信号。据此，我们排除了O_2~-与嘧啶碱基或嘧啶核革直接反应的可能性。确认与嘧啶碱基或嘧啶核苷发生直接反应的是OH，其形成是Fenton反应的结果。 Fe~(2+) ＋ O_2~- → H_2O_2 ＋ Fe~(3+) （a） Fe~(2+) ＋ H_2O_2 → ·OH ＋ OH~- ＋ Fe~(3+) （b）Fe~(3+) ＋ O_2~- → Fe~(2+)＋O_2 （c）通过Fenton反应，O_2~-转化成·OH，间接与嘧啶或核苷发生了反应。U.V.光照含有MNP和1％H_2O_2的样品水溶液，我们确定了·OH与嘧啶碱基及其核苷反应所产生的自由基Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ，Ⅴ，Ⅵ，Ⅶ，Ⅷ，Ⅸ，Ⅹ。发现，·OH与尿嘧啶及其核苷，胞嘧啶及其核苷的反应，主要有二种形式：其一，·OH加合到嘧啶环的C_5－C_6双键上，形成C_5位或C_6位自由基；其二，·OH夺取C_5位上的H，开成C_5'位自由基。·OH不与胸腺核苷的糖单元发生反应，仅与其嘧啶环反应，形成Nu位和C_5位自基。γ射线辐照过程中，·OH与嘧啶碱基及其核苷的反应与H_2O_2体系中的情况类似。辐照剂量则对反应的影响较大，低于1.0 * 10~4 rad，不发生反应；1.0 * 10~6 rad，则发生交联反应，只有1.0 * 10~5 rad的辐照剂量比较适宜。

Microscopic analysis of defects in a high resistivity silicon detector irradiated to 1.7x10(15)n/cm(2)

Current-based microscopic defect analysis methods with optical filling techniques, namely current deep level transient spectroscopy (I-DLTS) and thermally stimulated current (TSC), have been used to study defect levels in a high resistivity silicon detector (p(+)-n-n(+)) induced by very high fluence neutron (VHFN) irradiation (1.7x10(15) n/cm(2)). As many as fourteen deep levels have been detected by I-DLTS. Arrhenius plots of the I-DLTS data have shown defects with energy levels ranging from 0.03 eV to 0.5 eV in the energy band gap. Defect concentrations of relatively shallow levels (E(t) < 0.33 eV) are in the order of 10(13)cm(-3), while those for relatively deep levels (E(t) > 0.33 eV) are in the order of 10(14) cm(-3). TSC data have shown similar defect spectra. A full depletion voltage of about 27,000 volts has been estimated by C-V measurements for the as-irradiated detector, which corresponds to an effective space charge density (N-eff) in the order of 2x10(14) cm(-3). Both detector leakage current and full depletion voltage have been observed to increase with elevated temperature annealing (ETA). The increase of the full depletion voltage corresponds to the increase of some deep levels, especially the 0.39 eV level. Results of positron annihilation spectroscopy have shown a decrease of total concentration of vacancy related defects including vacancy clusters with ETA, suggesting the breaking up of vacancy clusters as possible source of vacancies for the formation of single defects during the reverse anneal.