新的白光LED灯用不同光色发射荧光体的研究

凡是与某种发光二极管（LED）匹配能够产生白光发射的荧光体均可称作白光LED荧光体，通过这种匹配构筑起来的白光发射体系（或器件），简称作白光LED。白光LED是一种新的固态光源，具有环保、节能等诸多优点。目前已实用化的白光LED只有蓝光LED＋YAG:Ce荧光粉，但其显色性差，不能满足通常的照明要求。因此，寻找并研究可以与UVLED、蓝光LED匹配的、能产生高效的各种光色发射的新的荧光体具有重要的理论和现实意义。 本工作利用高温固相法合成了四个白光LED灯用多光色发射荧光新体系。研究成果如下： 1. 合成出一种新的白光LED灯用荧光体－黄橙光发射的Eu2+掺杂的高温相氯硅酸钙荧光体，HTP-Ca3SiO4Cl2:Eu2+。该荧光体与近紫外LED匹配产生暖白光发射。晶体结构解析表明，HTP-Ca3SiO4Cl2属单斜晶系。 2. 研究发现Eu2+离子掺杂的低温相氯硅酸钙荧光体可用作白光LED灯用绿色荧光体，LTP-Ca3SiO4Cl2:Eu2+。实验结果证明与已报道的硫化物、氮化物LED灯用绿色荧光体相比，该荧光体具有合成条件相对温和、简便、无污染等优点。 3. 合成出一种新的白光LED灯用蓝绿光发射荧光体－Eu2+掺杂的硅酸锂钙，Li2CaSiO4:Eu2+。该荧光体的激发光谱从紫外延伸到可见区，和已报道的氯磷酸盐、铝酸盐LED灯用蓝光发射荧光体相比，具有更广泛的应用性。 4. 找到了一种可明显改善CaMoO4:Eu3+发光特性途径，通过碱金属离子和空穴进行电荷补偿可以使CaMoO4:Eu3+的红光发射强度提高3倍左右，使其有可能应用作白光LED红光发射组分。

GaN m-i-n LED grown by MOVPE

Undoped and Zinc-doped GaN films have been grown using TMGa, DEZn and Ammonia by MOVPE. The GaN blue-green LEDs of m-i-n structure have been fabricated. They can be operated at forward bias less than 5 volts. The EL peak wavelengths was from 455 nm to 504 nm.

基于文献计量分析的LED知识图谱及产业化对策

LED照明是当前最具发展前景的高技术领域之一.本文运用文献计量相关分析方法对LED的历史文献进行分析,通过绘制多维尺度分析图谱和核心关键词关联知识图谱,挖掘当前LED的技术成熟度、研究热点和关键技术点等信息,得出LED技术目前主要集中宽带隙材料、发光类型及特性、有机发光和超亮度LED研发上;氮化镓(GaN)、电致发光(electroluminescence)、光致发光(photoluminescence)、白光(White LED)等在整个LED研究中处于中心和控制大多数信息流向的地位.最后,本文通过国别分析判断我国LED产业的实力水平,最终为我国的LED技术产业化发展提供建议.

大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析

对功率型倒装结构发光二极管（LED）温度场分布进行了有限元模拟，与实测结果进行了比较，并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析。结果表明，凸点的形状及分布与芯片内部温差有着密切的关系，蓝宝石的厚度对芯片内部温差也有一定的影响。同时，对倒装结构与正装结构的热阻进行了比较。

功率型GaN基LED静电保护方法研究

介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管（LED）静电保护的方法，分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理，并在此基础上，提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。

LCD-TV用直下式LED背光源的光学设计

三基色LED背光源是成就高品质液晶显示器的关键技术之一，其色域是传统CCFL背光源的150％以上。其中直下式背光源具有结构简单、光利用率高的特点，是目前大尺寸液晶显示背光源的首选，但是由于没有导光板，直下式背光源的光均匀性变得较差。通过对LED光场分布的模拟和分析，得出了一种新型LED光场分布设计，对由此光场分布的三基色LED组成的66cm（26in）背光源模拟表明，该背光源在未加扩散膜前，灯箱厚度为20～28mm时，亮度均匀度大于83％，△U’V’值在0．01左右；加上扩散膜之后，灯箱厚度为20mm时，均匀度可达到89．58％，△U’V’值达到0．0041。

利用光子晶体提高InP基LED出光效率

应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构，并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件．在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法，结果表明，不使用SiO2做掩模的情况下，由于PMMA胶选择性较差，在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移．而增加SiO2掩模后，获得了图形质量良好的光子晶体结构，成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率，与未制作光子晶体结构的LED相比，光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上．并且随着晶格常数的增加，出光效率进一步提高。

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等。结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件，在光互连等领域具有广阔的应用前景。

氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究

氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景，中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势，实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化，目前产品已经批量上市销售。

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP-MOVPE设备,在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。

MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED

于2010-11-23批量导入