第7届国际等离子体化学会议(ISPC-7)

<正> Ⅰ.概况 国际等离子体化学会议(ISPC)每两年举行一次,主要交流等离子体化学如下几方面的研究和发展情况:合成,诊断,等离子体刻蚀,等离子体沉积和聚合,模型,表面作用以及熔化、气化、等离子体喷涂等。ISPC-7由荷兰Ejndhoven技术大学负责组织,Philips公司支持,在Philips会议中心举行。会议期1985年7月1—5日。第一天样品展览,

Optical properties of AIInGaN quaternary alloys

Carrier recombination dynamics in AlInGaN alloy has been studied by photoluminescence (PL) and time-resolved photoluminescence (TRPL). The fast redshift of PL peak energy is observed and well fitted by a physical model considering the thermal activation and transfer processes. This result provides evidence for the exciton localization in the quantum dot (QD)-like potentials in our AlInGaN alloy. The TRPL signals are found to be described by a stretched exponential function of exp[(-t/tau)(beta)], indicating the presence of a significant disorder in the material. The disorder is attributed to a randomly distributed quantum dots or clusters caused by indium fluctuations. By studying the dependence of the dispersive exponent 8 on the temperature and emission energy, we suggest that the exciton hopping dominate the diffusion of carriers localized in the disordered quantum dots. Furthermore, the localized states are found to have OD density of states up to 250 K, since the radiative lifetime remains almost unchanged with increasing temperature.

Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells

The structural and optical properties of GaAsSb/GaAs-based quantum wells (QWs) are investigated. The interface quality of GaAsSb/GaAs/GaAsP coupled double (CD) QW structures is improved due to the strain compensation of epitaxial layers. The CD QWs possess a W-shape of energy band structure, and the optical properties display the features characteristic of a type-IQW when the GaAsSb layer thickness is thin enough.

Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix

In this study, silicon nanocrystals embedded in SiO2 matrix were formed by conventional plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) followed by high temperature annealing. The formation of silicon nanocrystals (nc-Si), their optical and micro-structural properties were studied using various experimental techniques, including Fourier transform infrared spectroscopy, micro-Raman spectra, high resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. Very strong red light emission from silicon nanocrystals at room temperature (RT) was observed. It was found that there is a strong correlation between the PL intensity and the substrate temperature, the oxygen content and the annealing temperature. When the substrate temperature decreases from 250degreesC to RT, the PL intensity increases by two orders of magnitude.

Optical study of electronic states in GaAsN

GaAs1-xNx alloys with small N composition (x<1%) and GaAsN/GaAs quantum wells (QWs) were studied by continuous wave photoluminescence (PL), pulse wave excitaiton PL and time-resolved PL. In the PL spectra an extra transition located at the higher energy side of the commonly reported N-related emissions was observed. By measuring the PL dependence on temperature and excitation power, the new PL peak was identified as a transition of alloy band edge-related recombination in GaAsN and delocalized transition in QWs. The PL dynamics further confirms its intrinsic nature of band edge states rather than N-related bound states.

GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by solid-source molecular beam epitaxy

The growth of GaInNAs/GaAs quantum wells (QW) was investigated by solid-source molecular beam epitaxy. N was introduced by a dc-active plasma source. The effect of growth conditions such as on the N incorporation and photoluminescence (PL) intensity of the QWs has been studied. The PL peak intensity decreased and the PL fun width at half maximum increased with increasing N concentrations. The highest N concentration of 2.6% in a GaInNAs/GaAs QW was obtained, and corresponding to a PL peak wavelength of 1.57 mum at 10K. Rapid thermal annealing at 850degreesC significantly improved the crystal quality of the QWs. An optimum annealing time of 5s at 850degreesC was obtained. A GaInNAs/GaAs SQW laser with the emitting wavelength of 1.2 mum and a high characteristic temperature of 115 K was achieved at room temperature.

USB接口技术在便携式医疗仪器中的应用

USB是一种新型的计算机接口规范,它由于具有传输速度快、可靠性高、易于连接等优点而被广泛应用于目前的PC外围设备中。文章介绍了Philips公司的PDIUSBD12芯片和Atmel公司的ATmega128芯片在便携式心电监测仪上的应用,并给出了相应固件程序的编写方法。

重稀土离子电极的研制及其应用

稀土分离流程中,需要能随时测定稀土含量而又简便的分析方法,离子选择电极可能适应这种需要。我们在稀土电极研究的基础上,研制了重稀土离子选择电极,并以该电极膜制成重稀土流通池,将其应用在流动注射分析中,可能是重稀土分析中较理想的方法之一。1 主要仪器和试剂 主要仪器有PW 9409酸度计(Philips),FlA-T_2通用流动注射仪(东北电力学院仪器仪

PROFIBUS-DP从站通信控制器的设计与实现

PROFIBUS是一种国际化、开放式、不依赖于设备生产厂商的现场总线标准，PROFIBUS-DP作为PROFIBUS的一个分支，以其成熟性、实时性、可靠性和稳定性，在全球范围内的工业自动化领域获得了最为广泛的应用。PROFIBUS-DP协议比较复杂, 目前只有少数国外厂商提供专用的PROFIBUS-DP协议芯片，而国内对于PROFIBUS-DP总线的应用基本以购买国外自动化设备厂商的PROFIBUS-DP通信芯片为主，导致我国的自动化行业难以掌握核心技术。因此研究和开发具有自主知识产权的PROFIBUS-DP通信芯片具有广阔的前景和重要的意义。本文通过深入研究PROFIBUS-DP协议，提出了一套完整的设计方案，并设计出符合PROFIBUS-DP协议的IP核，为最终PROFIBUS-DP通信芯片的实现打下了坚实的基础。 本文详细的介绍了PROFIBUS-DP从站通信控制器的设计实现过程。首先通过分析PROFIBUS-DP协议以及参考国外现有的芯片资料，结合自身研究，提出了PROFIBUS-DP从站通信控制器的整体设计方案，给出了设计的整体框图；其次在整体设计方案的基础上详细介绍了各个功能模块的实现方法，以此为基础，采用自顶向下的设计方法，对各个模块进行详细的设计，并给出了Verilog语言实现RTL编码以及核心功能模块的仿真波形图；最后采用ALTERA公司的Cyclone EP1C6 的FPGA芯片和Philips公司的P89LV51RD2 MCU搭建了一个标准化的智能型从站，并采用ProfiCore和ProfiScrit搭建了PROFIBUS-DP从站控制器的系统级验证环境，进行了系统级验证，充分证实了设计方案的可行性。

贵州红枫湖汞的生物地球化学循环

上世纪八十年代，科学家们发现在北美和北欧一些远离汞污染源的湖泊中，某些鱼汞含量远远超过了世界卫生组织建议的食用水产品汞含量标准，这一现象引起了人们对水环境系统中汞的生物地球化学循环的极大关注。因此本论文对贵州红枫湖和加拿大安大略省3个小湖中汞的形态与分布特征进行了详细的研究，并对红枫湖整个汞的生物地球化学循环做了较为完整深入的探讨。本论文主要包括以下4方面的研究内容：（1）沉积物甲基汞分析方法的建立；（2）红枫湖水体、沉积物、鱼体中各种汞形态的含量、分布特征以及水体富营养化对其影响的研究；（3）红枫湖汞形态转化、输入输出通量及其质量平衡的估算；（4）红枫湖的对比研究点—加拿大安大略省的Mary、St. George和Philips湖中不同形态汞分布特征的初步研究。通过本论文的研究，得出以下主要结论： 1. 建立了硝酸和硫酸铜溶液浸提，CH2Cl2萃取并结合水相乙基化和GC-CVAFS测定沉积物及土壤中甲基汞的方法。该方法平均回收率为 97.8%，相对标准偏差≤10.2%，方法检出限为0.6pg/g，具有所需试剂少、不用连续萃取、简捷易行、回收率高以及精密度好等特点。 2． 2004年红枫湖湖水总汞浓度在2.5-14 ng/L之间，平均值为6.9 ng/L；溶解态汞浓度范围在1.2-8.0 ng/L之间，平均为3.9 ng/L。不管是红枫湖水体汞浓度的空间分布，还是季节变化都严重受到人为污染源的干扰。湖水汞在颗粒态和溶解态之间的分配，主要受内源有机质以及氧化还原条件的影响。2004年春季后五由于水华现象大量繁殖的藻类，吸附了大量的汞，从而改变了汞在水库中的分配和迁移。这些藻类的生长对水体中溶解气态汞浓度分布也有显著的影响。湖水中活性汞分布特征主要受Hg2+的光致还原过程、Hg2+的甲基化过程以及人为源的输入等过程控制。 3. 红枫湖夏季下层滞水带中，甲基汞含量显著升高，特别是在后五缺氧层，最高值达0.92ng/L。夏季总甲基汞和溶解态甲基汞在水体剖面上的分布表明：在富营养化较严重的后五，水体中升高的甲基汞主要来自水体中汞的甲基化过程；而在富营养化特征不明显的大坝，水体中升高的甲基汞主要来自沉积物甲基汞的释放。红枫湖水体中各种汞形态的分布特征表明，富营养化对汞的迁移转化影响显著，尤其是汞的甲基化过程。水体富营养化为汞的甲基化提供了有利条件，给水生生态环境及人体健康带来了潜在的威胁。 4. 红枫湖沉积物总汞浓度为0.392 ± 0.070 μg/g，高于世界其它背景区汞浓度，也高于处于同一流域的乌江渡水库和东风水库，表明红枫湖受到了一定程度的汞污染。两个采样点总汞无明显的季节变化，但其剖面分布都有在上层富集的趋势。沉积物甲基汞浓度的季节变化和剖面最大峰值分布，主要受氧化还原带的季节性迁移所控制。沉积物甲基汞浓度在春季最高，其余季节则没有明显差异，甲基汞峰值出现在表层0～8cm以内，与红枫湖沉积物中硫酸盐还原菌活动区域一致。 5. 红枫湖总汞在孔隙水中的浓度及在固/液之间的分配系数主要和温度有关，与沉积物中总汞相关性不大，而孔隙水中甲基汞浓度则和沉积物甲基汞浓度存在着极显著的相关性（r=0.70, p<0.001）。沉积物和孔隙水甲基汞浓度除受到固/液分配系数影响外，主要还受到甲基汞产生过程控制。 6. 由于本次研究所采集的鱼类多为红枫湖人工饲养鱼，生长速度快，食物链短，故总汞含量（32ng/g）和甲基汞含量(12ng/g)都远远低于国家食用标准。汞含量在不同鱼种中的分布趋势为：肉食性鱼类>杂食性鱼类>草食性鱼类，这表明鱼体中汞含量主要和鱼的摄食习惯有关。 7． 红枫湖总汞质量平衡模型的估算结果表明，红枫湖水体中汞的总源为30066 g.a-1，总汇为31010g.a-1。水体中总汞最大的源来自于河流输入（82%），而最大的汇是水体颗粒态汞的沉降（78%）。甲基汞质量平衡模型的估算结果表明河流输出是水体甲基汞一个重要的汇，占总汇的45%, 比河流输入占总源的比例高30%，表明水库是下游水体甲基汞的源。 8. 红枫湖汞在水-沉积物界面的迁移通量表明，沉积物是水体中汞和甲基汞一个巨大的汇，而沉积物对上覆水体总汞和甲基汞的贡献却很有限。红枫湖汞在水-气界面的迁移通量表明，大气汞沉降特别是干沉降是红枫湖水体总汞一个重要的污染源，其对红枫湖汞的贡献远大于水体向大气释放的汞，大气沉降每年向红枫湖净贡献汞量为3364 g.a-1。 9. 在对比研究的湖泊中，水体中甲基汞的剖面分布表明，斜温层颗粒态甲基汞的沉降、沉积物甲基汞的释放以及水体汞的甲基化过程都是下层水体高甲基汞的重要来源。在这些湖泊中近代汞的沉积通量为22.1 μg m-2 a-1，远低于红枫湖中汞的沉积通量（714 μg m-2 a-1）。与红枫湖以及一些典型的沉积物甲基汞的垂直剖面分布相比，这些小湖中甲基汞的产生不仅发生在沉积物表层，在较深的沉积物中可能也有汞的甲基化过程，而且这个过程和有机质的含量密切相关。